[实用新型]一种倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201821210306.X | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN208521964U | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 杜元宝;蔡晓宁;张耀华;林胜;张日光 | 申请（专利权）人： | 宁波升谱光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/36;H01L33/52 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 315103 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒装LED芯片 衬底 荧光陶瓷 荧光颗粒 发光层 荧光胶 耐热性 本实用新型 第一表面 发光表面 激发荧光 使用寿命 相应颜色 依次设置 预设颜色 陶瓷衬 射入 覆盖 | ||
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：
荧光陶瓷衬底；其中，所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒；
位于所述荧光陶瓷衬底第一表面的n型外延层；
位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层；
位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p型外延层；
位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p电极；
位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。
2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述荧光颗粒为黄色荧光颗粒；所述发光层所发出的光线为蓝色光线。
3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述n型外延层为n型GaN层；所述p型外延层为p型GaN层。
4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片还包括：
位于所述p型GaN层与所述发光层之间的p型AlGaN层。
5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述荧光陶瓷衬底的所述第一表面预先刻蚀有纳米图形。
6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述荧光陶瓷衬底的基底为氧化铝或碳化硅。
7.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片还包括：
覆盖所述n型外延层侧壁、所述发光层侧壁和所述p型外延层侧壁的钝化层。
8.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述发光层为量子阱有源区。
9.根据权利要求1至8任一项权利要求所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片还包括：
位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的镜面反射层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波升谱光电股份有限公司，未经宁波升谱光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821210306.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
