[实用新型]一种多晶硅还原炉电极结构有效

专利信息
申请号: 201821204421.6 申请日: 2018-07-27
公开(公告)号: CN208561705U 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 王东京;惠泽;盛斌 申请(专利权)人: 江苏双良新能源装备有限公司
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;C01B33/035
代理公司: 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 代理人: 隋玲玲
地址: 214444 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电极体 绝缘环 电极绝缘套 还原炉底盘 多晶硅还原炉 本实用新型 电极结构 上端面 上凸缘 底盘 套接 节能降耗 紧密贴合 使用寿命 余热回收 电极 多晶硅 高温水 绝缘套 上垫片 下垫片 下端面 闪蒸 死区
【说明书】:

实用新型涉及一种多晶硅还原炉电极结构,包括电极体,所述电极体安装在还原炉底盘内,所述电极体和还原炉底盘之间设有电极绝缘套,所述电极绝缘套与电极体套接且紧密贴合,所述电极体还套接有绝缘环,所述绝缘环位于电极绝缘套的上方,所述绝缘环安装在上凸缘下方,所述上凸缘与绝缘环上端面之间设有上垫片,所述绝缘环下端面与还原炉底盘的上端面之间设有下垫片。本实用新型结构简单,大大提高绝缘套使用寿命,减少电极清理死区,提高多晶硅品质;同时又能在底盘中使用高温水,而后对底盘水进行“闪蒸”余热回收,达到综合节能降耗效果。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,具体涉及一种多晶硅还原炉电极结构。

背景技术

目前国内多晶硅还原炉的启动方法都是采用8000~10000伏的高电压将硅芯击穿启动,为保证安全生产,必须对其导电元器件——电极做好相应的绝缘措施。考虑多晶硅的特性,其电极绝缘元器件一般都采用纯聚四氟乙烯材质的绝缘套。另外多晶硅生产过程是一个高温的气相沉积过程,其高温环境会对纯聚四氟乙烯产生碳化、烧蚀等现象,所以需要对纯聚四氟乙烯绝缘套采取冷却措施,现有的电极结构一般如图1所示:通水的电极及通水底盘对绝缘套同时进行冷却,但是在温度最高的绝缘套上缘,仅有底盘水对其冷却(电极与绝缘套之间有陶瓷,无法直接冷却绝缘套),使得绝缘套上缘烧损最严重,严重影响绝缘套的使用寿命,而且电极与绝缘套之间的间隙难易清理,容易积累硅粉等杂质,对下一炉硅棒质量产生影响。另外因为绝缘套的上缘是由底盘提供冷却,所以为了保证冷却效果,必须要降低底盘冷却水的温度,使得底盘冷却水无法通过闪蒸等方式进行预热回收。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述不足,提供了一种多晶硅还原炉电极结构,其可以提高绝缘套使用寿命,减少电极清理死区,提高多晶硅品质;同时又能在底盘中使用高温水,而后对底盘水进行“闪蒸”余热回收,达到综合节能降耗效果。

本实用新型的目的是这样实现的:

一种多晶硅还原炉电极结构,包括电极体,所述电极体安装在还原炉底盘内,所述电极体和还原炉底盘之间设有电极绝缘套,所述电极绝缘套与电极体套接且紧密贴合,所述电极体还套接有绝缘环,所述绝缘环位于电极绝缘套的上方,所述电极体设有上凸缘和下凸缘,所述绝缘环安装在上凸缘下方,所述上凸缘与绝缘环上端面之间设有上垫片,所述绝缘环下端面与还原炉底盘的上端面之间设有下垫片,所述绝缘环下端面设有环形凸起,所述环形凸起伸入电极绝缘套与还原炉底盘顶部之间,所述电极绝缘套对应下凸缘设有台阶,所述台阶内外分别配装内氟橡胶垫片和外氟橡胶垫片。

优选的,所述上垫片和下垫片均采用RSB材质的耐高温垫片,起次密封作用。

优选的,所述上垫片和下垫片的压缩率为35-40%,回复率大于15%。

优选的,所述电极绝缘套为聚四氟乙烯绝缘套。

优选的,所述绝缘环为氮化硅或石英绝缘环,绝缘环上端面与上凸缘底部留有1-2mm间隙。

优选的,所述氟橡胶垫片和外氟橡胶垫片的厚度为5-6mm,起主要密封作用。

优选的,所述上凸缘的外径不小于还原炉底盘的外径。

优选的,所述绝缘环的下端面的外径大于还原炉底盘的外径。

本实用新型的有益效果是:

1.电极上凸缘的密封可将高温反应气隔绝在外,避免了其对聚四氟乙烯绝缘套影响,延长聚四氟乙烯绝缘套的使用寿命;

2.电极上凸缘的密封可将硅粉阻挡在外侧,避免硅粉进入难易清理的“死区”,减少杂质带入,提高了多晶硅质量;

3.底盘冷却水可直接冷却绝缘套,不再受聚四氟乙烯绝缘套耐温性能的限制;

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