[实用新型]一种具有防反接电路的ESD保护电路

说明书

本实用新型提供一种具有防反接电路的ESD保护电路，所述具有防反接电路的ESD保护电路包括：ESD保护电路，连接于电源输入端和内部电路之间，用于对内部电路进行ESD保护；及防反接电路，连接于电源输入端和ESD保护电路之间，用于当电源输入端接入正向电源电压时，防反接电路导通，电源输入端与内部电路之间呈现通路；当电源输入端接入反向电源电压时，防反接电路关断，电源输入端与内部电路之间呈现开路，以进行防反接保护。通过本实用新型解决了现有ESD保护电路中，当电源输入端接入反向电源电压时，所述NMOS管本身的寄生二极管导通，从而产生大电流，导致整个电路系统工作不正常、甚至烧毁的问题。

技术领域

本实用新型涉及电路设计领域，特别是涉及一种具有防反接电路的ESD保护电路。

背景技术

静电释放(Electrostatic Discharge，ESD)保护对集成电路来说是非常重要的，在集成电路设计领域已经进行了许多研究。无论是在电子设备的正常使用、运输和库存中、还是在生产装配各种集成电路元件的过程中都有可能发生静电释放。这些难以正确预见和防范的静电释放会损坏集成电路，产生不良率，甚至导致严重的损失。在目前的集成电路设计和制造中都会特别注意ESD保护电路的设计。

现有芯片设计中，一般会在电源输入端与内部电路之间设置ESD保护电路，用以实现内部电路的ESD保护。现有ESD保护电路10连接于电源输入端(VDD为正电源输入端、GND为负电源输入端)和内部电路之间，具体电路结构如图1所示，包括一NMOS管NM1’，其中，所述NMOS管NM1’本身具有寄生二极管Ds’；当在VDD和GND之间加正向电源电压时，内部电路正常工作，NMOS管NM1’作为内部电路的ESD保护管处于关断状态，对内部电路进行ESD保护；但当VDD和GND之间加反向电源电压时，NMOS管NM1’本身的寄生二极管Ds’导通，导致有大电流产生，从而会导致整个电路系统工作不正常，甚至烧毁。

鉴于此，有必要设计一种新的具有防反接电路的ESD保护电路，用以解决上述技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种具有防反接电路的ESD保护电路，用于解决现有ESD保护电路中，当电源输入端接入反向电源电压时，所述NMOS管本身的寄生二极管导通，从而产生大电流，导致整个电路系统工作不正常、甚至烧毁的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种具有防反接电路的ESD保护电路，所述ESD保护电路包括：

ESD保护电路，连接于电源输入端和内部电路之间，用于对所述内部电路进行ESD保护；以及

防反接电路，连接于所述电源输入端和所述ESD保护电路之间，用于当所述电源输入端接入正向电源电压时，所述防反接电路导通，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现通路；当所述电源输入端接入反向电源电压时，所述防反接电路关断，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现开路，以进行防反接保护。

可选地，所述防反接电路包括：

一防反接单元，连接于所述电源输入端和所述ESD保护电路之间，用于当所述电源输入端接入正向电源电压时，所述防反接电路导通，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现通路；当所述电源输入端接入反向电源电压时，所述防反接电路关断，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现断路；以及

衬底切换单元，连接于所述防反接单元，用于从电源电压和所述内部电路的输入电压中选择高电位电压作为所述防反接单元的衬底电压。

可选地，所述防反接单元包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端接入正电源输入端，所述第一PMOS管的栅极端接入负电源输入端，所述第一PMOS管的漏极端与所述ESD保护电路连接，所述第一PMOS管的衬底端与所述衬底切换单元连接。