[实用新型]一种具有防反接电路的ESD保护电路有效
| 申请号： | 201821204302.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN208623330U | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 周尧;刘桂芝;吴国平;崔凤敏 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电源输入端 防反接电路 内部电路 电源电压 本实用新型 寄生二极管导通 防反接保护 电路系统 大电流 导通 关断 正向 开路 烧毁 | ||
1.一种具有防反接电路的ESD保护电路，其特征在于，所述具有防反接电路的ESD保护电路包括：
ESD保护电路，连接于电源输入端和内部电路之间，用于对所述内部电路进行ESD保护；以及
防反接电路，连接于所述电源输入端和所述ESD保护电路之间，用于当所述电源输入端接入正向电源电压时，所述防反接电路导通，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现通路；当所述电源输入端接入反向电源电压时，所述防反接电路关断，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现开路，以进行防反接保护。
2.根据权利要求1所述的具有防反接电路的ESD保护电路，其特征在于，所述防反接电路包括：一防反接单元及连接于所述防反接单元的衬底切换单元，其中，所述衬底切换单元用于从电源电压和所述内部电路的输入电压中选择高电位电压作为所述防反接单元的衬底电压。
3.根据权利要求2所述的具有防反接电路的ESD保护电路，其特征在于，所述防反接单元包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端接入正电源输入端，所述第一PMOS管的栅极端接入负电源输入端，所述第一PMOS管的漏极端与所述ESD保护电路连接，所述第一PMOS管的衬底端与所述衬底切换单元连接。
4.根据权利要求2所述的具有防反接电路的ESD保护电路，其特征在于，所述衬底切换单元包括：第二PMOS管和第三PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与所述第三PMOS管的栅极端连接，同时接入电源电压，所述第二PMOS管的漏极端与所述第三PMOS管的漏极端连接，所述第二PMOS管的栅极端与所述第三PMOS管的源极端连接，同时接入所述内部电路的输入电压，所述第二PMOS管的衬底端与所述第三PMOS管的衬底端连接，同时与所述第二PMOS管的漏极端连接。
5.根据权利要求1所述的具有防反接电路的ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路包括：一NMOS管，所述NMOS管的漏极端与所述防反接电路连接，所述NMOS管的源极端与其栅极端连接，同时与负电源输入端连接，所述NMOS管的衬底端与其源极端连接。
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