[实用新型]应用于压接型MOSFET的栅极结构

权利要求书

1.一种应用于压接型MOSFET的栅极结构，其特征在于：包括第一铜块，压接型MOSFET，栅极连接件，接收外部栅极控制信号的连接接口，第二铜块，弹性结构，与所述压接型MOSFET栅极接触的棒状金属，所述栅极连接件与所述第二铜块之间的绝缘介质；

其中，所述压接型MOSFET的源极与所述第二铜块的凸起部分连接；

所述栅极连接件置于所述第二铜块的凹槽内，并通过所述绝缘介质与所述第二铜块电气绝缘和固定；

所述栅极连接件与所述压接型MOSFET的栅极通过所述弹性结构和所述棒状金属连接；

所述栅极连接件与所述连接接口相连，所述连接接口接收外部栅极控制信号。

2.如权利要求1所述的栅极结构，其特征在于：其中，所述第一铜块包括一个或多个，每个所述第一铜块与所述压接型MOSFET的漏极等电位，所述第二铜块包括一个或多个，每个所述第二铜块与所述压接型MOSFET的源极等电位；其中，所述第一铜块与所述第二铜块之间具有一定的压力。

3.如权利要求1所述的栅极结构，其特征在于：其中，所述压接型MOSFET包括多个，并形成压接型MOSFET阵列；所述栅极连接件的形状根据所述压接型MOSFET阵列的排布方式相应设置。

4.如权利要求3所述的栅极结构，其特征在于：所述压接型MOSFET阵列采用环形或矩阵形；当阵列中所有压接型MOSFET使用同一栅极信号进行控制时，则采用一个所述栅极连接件电气连接所有压接型MOSFET；当使用不同栅极信号控制阵列中的压接型MOSFET时，则采用不同的栅极连接件电气连接相应压接型MOSFET。

5.如权利要求1所述的栅极结构，其特征在于：所述栅极连接件与所述压接型MOSFET的栅极通过所述弹性结构和所述棒状金属连接。

6.一种应用于压接型MOSFET的栅极结构，其特征在于：包括第一铜块，压接型MOSFET裸片，栅极连接件，接收外部栅极控制信号的连接接口，第二铜块，弹性结构，与所述压接型MOSFET裸片栅极接触的棒状金属；

其中，所述第一铜块与所述压接型MOSFET裸片的漏极相连，所述第二铜块与所述压接型MOSFET裸片的源极相连；

所述栅极连接件置于所述第二铜块的凹槽内；

所述栅极连接件与所述压接型MOSFET裸片的栅极通过所述弹性结构和所述棒状金属连接；

所述栅极连接件与所述连接接口相连，所述连接接口接收外部栅极控制信号。

7.如权利要求6所述的栅极结构，其特征在于：其中，所述第一铜块包括一个或多个，每个所述第一铜块与所述压接型MOSFET裸片的漏极等电位，所述第二铜块包括一个或多个，每个所述第二铜块与所述压接型MOSFET裸片的源极等电位；其中，所述第一铜块与所述第二铜块之间具有一定的压力。

8.如权利要求6所述的栅极结构，其特征在于：其中，所述压接型MOSFET裸片包括多个，并形成压接型MOSFET裸片阵列；所述栅极连接件的形状根据所述压接型MOSFET裸片阵列的排布方式相应设置。

9.如权利要求8所述的栅极结构，其特征在于：所述压接型MOSFET裸片阵列采用环形或矩阵形；当阵列中所有压接型MOSFET裸片使用同一栅极信号进行控制时，则采用一个所述栅极连接件电气连接所有压接型MOSFET裸片；当使用不同栅极信号控制阵列中的压接型MOSFET裸片时，则采用不同的栅极连接件电气连接相应压接型MOSFET裸片。

10.如权利要求6所述的栅极结构，其特征在于：所述栅极连接件与所述压接型MOSFET裸片的栅极通过所述弹性结构和所述棒状金属连接。