[实用新型]半导体设备有效
| 申请号: | 201821184808.X | 申请日: | 2018-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN208478303U | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
| 发明(设计)人: | 武学伟;董博宇;郭冰亮;李丽;徐宝岗;刘玉杰;武树波;杨依龙 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 真空泵 腔室 半导体设备 柔性密封管 真空泵支架 震动 本实用新型 单独支撑 减小 传递 支撑 出口 | ||
本实用新型公开了一种半导体设备,包括腔室和真空泵,还包括柔性密封管和真空泵支架,其中,所述柔性密封管连接在所述腔室的出口和所述真空泵的入口之间,以减小所述真空泵传递给所述腔室的震动;所述真空泵支架用于支撑所述真空泵。本实用新型将腔室与真空泵之间通过柔性密封管进行连接,并通过真空泵支架单独支撑真空泵,使得真空泵产生的震动和力不会传到腔室,避免了由于真空泵本身的震动引起的腔室震动,增加了半导体设备的稳定性。
技术领域
本实用新型涉及半导体集成电路制造领域,具体地,涉及一种半导体设备。
背景技术
物理气象沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的半导体设备对腔室的真空度有很高的要求,一般需要在1e-6以下的真空度中进行工艺。这样的真空度要求需要腔室用普通干泵粗抽腔室后,用高真空泵维持腔室的高真空状态。
高真空泵包括分子泵、冷凝泵等,通过KF、CF、ISO等真空法兰与腔室连接起来。
图1为相关技术中腔室与真空泵的连接示意图。如图1所示,真空泵18通过阀门19与腔室12实现连接,阀门19的作用是可以调整真空泵18与腔室12之间开口的打开、关闭或者是开口大小。
一般的PVD工艺设备工作流程为:机械手通过隔离阀11将基片13放在顶针15上,顶针15下降使得基片13落在基座14上,基片13在基座14上进行物理气象沉积工艺,工艺结束后顶针15从基座14上顶起基片,机械手从隔离阀11深入到基片13与基座14中间的空隙中取走基片13,完成整个工艺过程。
在图1中,真空泵18、阀门16以及腔室12之间通过法兰19进行刚性连接,整个系统只对腔室12进行支撑而真空泵18的重量通过腔室12传递给腔室支架17。当真空泵18的泵体20内的运动部件在不断的运动时,例如分子泵内涡轮的转动、冷凝泵内有活塞的往复运动,这些有一定频率的运动使得泵体20会有震动。而泵体20与腔室12之间通过刚性法兰连接,泵体20的震动会直接传递给整个腔室系统,这样就导致整个腔室系统都有震动。
在基片13传输的过程中,在基片13被顶针15顶起时及基片13放在基座14表面时,会因机台的震动而使得基片13相对基座14的位置发生偏移;特别是基片13被顶针15顶起的时候,基片14与顶针15靠几个点接触,摩擦力很小,导致由于震动引起的基片13偏移不可控制。而当基片13发生不可控制的偏移,会导致机械手自动传片时基片13不能落在机械手的正确位置上,甚至会导致基片13从顶针15上滑落。因此,有必要提出一种能够减少腔室震动的半导体设备。
公开于本实用新型背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的一般背景技术的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
实用新型内容
为了解决由于泵体的震动传递给腔室造成的晶片在腔室中发生不可预测的位置偏移的问题以及由于震动引起的半导体设备不稳定问题,本实用新型提出了一种能够减少腔室震动的半导体设备。
根据本实用新型的半导体设备包括腔室和真空泵,还包括柔性密封管和真空泵支架,其中,
所述柔性密封管连接在所述腔室的出口和所述真空泵的入口之间,以减小所述真空泵传递给所述腔室的震动;
所述真空泵支架用于支撑所述真空泵。
优选地,所述真空泵支架包括底座、设置在所述底座上的第一卡具组和第二卡具组;
所述第一卡具组用于在竖直方向上对所述真空泵限位,所述第二卡具组用于在水平方向上对所述真空泵限位。
优选地,所述柔性密封管为波纹管。
优选地,所述半导体设备还包括阀门和法兰,其中,
所述法兰连接在所述真空泵的入口一侧,所述阀门的出口与所述法兰连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





