[实用新型]一种磁控溅射装置和磁控溅射设备有效

专利信息
申请号: 201821184166.3 申请日: 2018-07-25
公开(公告)号: CN208604202U 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 李皓瑜;刘宇翔;张建红;朱之贞;胡建明;陈权;杨津听;李坤伦;柴大克;孙胜凡;丁洁;周雄飞;聂川滨;杨红飞;俞云坤;曾仁武 申请(专利权)人: 昆明星众科技孵化器有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 650000 云南省昆明*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 磁控溅射靶 靶基距 减速箱 中齿轮 磁控溅射装置 公转电机 自转齿轮 自转电机 齿轮组 调控箱 输出端 真空室 自转轴 啮合 磁控溅射镀膜 磁控溅射设备 加热器 本实用新型 膜厚均匀性 安装工件 啮合连接 充气孔 抽气孔 大基片 多工位 公转轴 可调节 偏心距 小齿轮 转速比 自转 靶材 头端 室外 两边 室内 分析 研究
【说明书】:

实用新型公开一种磁控溅射装置,包括真空室、自转电机、中齿轮、减速箱、公转电机、靶基距调控箱和磁控溅射靶,自转电机输出端进入真空室内与中齿轮啮合的小齿轮连接,中齿轮上固定安装一个齿轮组,齿轮组两边啮合连接自转齿轮,自转齿轮上安装自转轴,自转轴头端安装工件架;公转电机输出端与安装在真空室外顶部中间的减速箱连接,减速箱与公转轴连接,真空室底部安装有抽气孔、磁控溅射靶、充气孔及加热器,磁控溅射靶上安装靶基距调控箱。可实现工件的自转与公转,且靶基距、偏心距及转速比均可调节,装置整体结构简单、设计合理新颖、功能全面,为小靶材大基片多工位磁控溅射镀膜膜厚均匀性的研究与分析奠定基础。

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射技术领域,具体的涉及一种磁控溅射装置和磁控溅射设备。

背景技术

近年来国内外许多学者对磁控溅射薄膜厚度分布进行了广泛的研究,关于磁控溅射薄膜的厚度分布模型已有较多的文献进行了讨论,为了制备均匀性良好的薄膜,人们采用很多方法,主要分两大类:第一,通过改变靶的结构、形状、磁场的分布来控制镀料的沉积区域,因为靶材的刻蚀与磁控靶的磁场分布有关,研究靶的刻蚀实际:是研究溅射过程,从而保证镀膜的均匀性;第二,通过调整工件与靶的相对位置,以及采用工件的不同运动来获得良好的镀膜效果。

目前,磁控溅射领域还没有文章具休地阐述关于小靶大基片膜厚均匀性的问题,没有全面地关于工件-靶材不同相对位置以及工件不同运动形式与膜厚均匀性关系的论述,也没有一款较为完整的能够实现多工位镀膜装置的提出。因此,研究小靶材对应大基片镀膜薄膜均匀性,需要设计一款新型的可实现靶基距、偏心距精确调节且能实现基片自转公转可控的磁控溅射装置。

实用新型内容

针对现有技术存在的上述问题,本实用新型提供了一种磁控溅射装置,可实现工件的自转与公转,且靶基距、偏心距及转速比均可调节,装置整体结构简单、设计合理新颖、功能全面,为小靶材大基片多工位磁控溅射镀膜膜厚均匀性的研究与分析奠定基础。

为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本实用新型是通过以下技术方案实现:

一种磁控溅射装置,包括真空室、自转电机、中齿轮、减速箱、公转电机、靶基距调控箱和磁控溅射靶;真空室外顶部的左右侧分别垂直安装自转电机和公转电机;

所述自转电机输出端进入真空室内与中齿轮啮合的小齿轮连接,中齿轮上固定安装一个齿轮组,齿轮组通过轴承与真空室内的公转轴上套的套筒连接,齿轮组两边啮合连接自转齿轮,自转齿轮上安装自转轴,自转轴头端安装工件架;所述公转电机输出端与安装在真空室外顶部中间的减速箱连接,减速箱与公转轴连接,公转轴下端安装偏心距调动块,末端安装公转盘,减速箱上端安装偏心距调动箱,偏心距调动箱连接公转轴上的套筒,

公转盘上设计4个滑槽滑块机构,滑块上安装轴承与偏心距调动块上安装的触手固定,公转盘径向的滑块外侧开设螺纹孔并装有弹簧,螺纹孔通过螺栓封孔并顶住弹簧的一侧;

公转盘上均布有4个圆形孔用于固定自转轴,真空室底部安装有抽气孔、磁控溅射靶、充气孔及加热器,磁控溅射靶上安装靶基距调控箱。

优选的,所述公转电机输出端外接涡轮蜗杆变向后与安装在真空室外顶部中间的减速箱连接,减速箱的输出轴通过齿轮与公转轴连接。

优选的,所述公转盘上设计4个滑槽滑块机构为公转盘径向开设4个滑槽,滑槽上安装4个滑块,滑块上安装轴承与偏心距调动块上安装的触手固定,同时滑块与自转齿轮上的自转轴连接;所述偏心距调动块为锥形调动块。

优选的,所述齿轮组有半径大小不同的多个齿轮组成,并与自转齿轮相配合,带动自转轴转动从而带动工件架自转,偏心距调动箱可使套筒向上或向下运动。

优选的,所述磁控溅射靶上安装靶基距调控箱,通过旋转靶基距调控箱直接调整磁控溅射靶的纵向位置。

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