[实用新型]芯片封装结构

说明书

本实用新型提供一种芯片封装结构，包括：一引线框架，所述引线框架具有至少一基岛及至少一引脚；至少一芯片，设置在所述基岛上，每一芯片的背面与所述基岛的承载面连接，每一芯片的有源面上设置有多个与芯片的焊垫连接的导电凸块；至少一导电柱，设置在所述引脚上表面；至少一重布线层，分别与所述导电凸块及所述导电柱连接，以将所述芯片的焊垫连接至所述引脚。本实用新型的优点在于，本实用新型芯片封装结构通过基岛散热，所述芯片通过导电凸块、重布线层及导电柱连接与引脚，具有高导热性能及良好的导电性能，适应大功率和高导热高导电需求的芯片封装及模块化封装，能够极大优化芯片封装的导电导热性能，有效提升芯片的使用性能。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，尤其涉及一种芯片封装结构。

背景技术

在IC封装行业中，引线键合技术(Wire Bonding,简称WB)采用金属线实现芯片与外露管脚连接导通，其缺点在于，封装体在电性能方面受限于金属线自身的直径和长度，芯片的导电性能较差。

芯片倒装焊技术(Flip Chip Bonding Technology，简称FC)是一种将芯片连接至承载器的封装技术，其主要是利用面阵列的方式，将多个芯片垫配置于芯片的有源表面上，并在芯片垫上形成凸块，接着将芯片翻面之后，再经由这些凸块，将芯片的这些芯片垫分别电及结构性连接至承载器上的接点。由于芯片倒装焊技术可适用于高脚数的芯片封装结构，并同时具有缩小芯片封装面积及缩短信号传输路径等诸多优点，使得芯片倒装焊技术目前已经广泛地应用于高阶的芯片封装领域。其缺点在于，由于芯片是通过凸块或者重布线层等方式与外露的引脚连接，中间有塑封层的填充和隔离，使得芯片的导热性能较差。

因此，发展一种具有良好导电性能及导热性能的封装结构具有重大意义。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种芯片封装结构，其能够具有高导热性能及良好的导电性能，适应大功率和高导热高导电需求的芯片封装及模块化封装，能够极大优化芯片封装的导电导热性能，有效提升芯片的使用性能。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种芯片封装结构，包括：一引线框架，所述引线框架具有至少一基岛及至少一引脚；至少一芯片，设置在所述基岛上，每一芯片的背面与所述基岛的承载面连接，每一芯片的有源面上设置有多个与芯片的焊垫连接的导电凸块；至少一导电柱，设置在所述引脚上表面；至少一重布线层，分别与所述导电凸块及所述导电柱连接，以将所述芯片的焊垫连接至所述引脚。

在一实施例中，所述芯片与所述基岛的承载面通过导电导热粘结剂层连接。

在一实施例中，所述基岛为导电基岛。

在一实施例中，所述基岛与承载面相对的背面设置有外管脚。

在一实施例中，相邻的重布线层之间通过导电块连接。

本实用新型的优点在于，本实用新型芯片封装结构通过基岛散热，所述芯片通过导电凸块、重布线层及导电柱连接与引脚，具有高导热性能及良好的导电性能，适应大功率和高导热高导电需求的芯片封装及模块化封装，能够极大优化芯片封装的导电导热性能，有效提升芯片的使用性能。

附图说明

图1是本实用新型芯片封装结构的第一实施例的示意图；

图2是本实用新型芯片封装结构的第二实施例的示意图；

图3A～图3H是本实用新型制备方法的一实施例的工艺流程图；

图4是本实用新型制备方法的另一实施例的一流程图；

图5A～图5C是本实用新型制备方法的另一实施例的一流程图；

图6A～图6C是本实用新型制备方法的另一实施例的一流程图。

具体实施方式