[实用新型]一种高密度电流的平面MOS封装结构

说明书

本实用新型公开了一种高密度电流的平面MOS封装结构，包括第一MOS管本体和第二MOS管本体，所述第一MOS管本体的两侧均固定连接有竖板，所述第二MOS管本体的两侧均固定连接有安装板，所述竖板的一侧开设有固定槽，所述安装板一侧的顶部和底部均开设有安装槽，固定槽内壁一侧的顶部和底部均固定连接有导向杆，且导向杆的表面滑动连接有滑动杆，且滑动杆的底端与固定槽的内壁滑动连接，滑动杆的顶端依次贯穿固定槽和竖板并延伸至竖板的顶部，本实用新型涉及MOS技术领域。该高密度电流的平面MOS封装结构，可实现对需要串联使用的MOS管进行方便拆装，为后续的MOS管的正常使用奠定了基础，也给工作人员带来了诸多便利，节省了安装时间。

技术领域

本实用新型涉及MOS技术领域，具体为一种高密度电流的平面MOS封装结构。

背景技术

MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，中文名MOS管全称MOSFET简称金氧半场效晶体管，一般是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体，MOS管的源极和耗尽层是可以对调的，他们都是在P型中形成的N型区，在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的，场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。

MOS管大都是单个进行使用的，但有些场所需要进行串联使用，这样就需要对MOS管进行串联拼接，现有的拼接方式操作麻烦，结构复杂，同时花费的成本也较多，实用性不强，给使用者带来了诸多不便。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种高密度电流的平面MOS封装结构，解决了现有MOS管的拼接结构复杂且操作麻烦以及实用性不强的问题。

为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种高密度电流的平面MOS封装结构，包括第一MOS管本体和第二MOS管本体，所述第一MOS管本体的两侧均固定连接有竖板，所述第二MOS管本体的两侧均固定连接有安装板，所述竖板的一侧开设有固定槽，所述安装板一侧的顶部和底部均开设有安装槽，所述固定槽内壁一侧的顶部和底部均固定连接有导向杆，且导向杆的表面滑动连接有滑动杆，且滑动杆的底端与固定槽的内壁滑动连接，所述滑动杆的顶端依次贯穿固定槽和竖板并延伸至竖板的顶部，所述滑动杆表面一侧的顶部和底部均固定连接有横杆，所述横杆远离滑动杆表面的一侧依次贯穿固定槽和安装槽并延伸至安装槽的内部。

优选的，所述横杆延伸安装槽内部的一端通过连接块固定连接有矩形框，所述矩形框的顶部和底部均活动连接有卡块。

优选的，两个所述卡块相对的一侧之间且位于矩形框的内部套设有缓冲弹簧，所述矩形框内壁的一侧固定连接有缓冲垫。

优选的，所述安装板的内部且位于安装槽的顶部和底部均开设有与卡块相适配的卡槽，所述导向杆的表面且位于滑动杆表面的一侧套设有夹紧弹簧。

优选的，所述安装板的正面分别固定连接有连接板和矩形板，所述连接板和矩形板相对的一侧之间固定连接有固定杆，所述固定杆表面的顶部和底部均滑动连接有拨动杆。

优选的，所述固定杆的表面且位于两个拨动杆表面相对的一侧之间套设有伸缩弹簧，所述拨动杆的一端依次贯穿安装板和卡槽并延伸至卡槽的内部。

有益效果

本实用新型提供了一种高密度电流的平面MOS封装结构。与现有技术相比具备以下有益效果：