[实用新型]一种高密度电流的平面MOS封装结构有效
| 申请号： | 201821141210.2 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN208507654U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈剑;姜帆;张军亮 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 固定槽 竖板 高密度电流 封装结构 滑动杆 本实用新型 安装板 导向杆 表面滑动 方便拆装 内壁滑动 安装槽 底端 内壁 串联 便利 贯穿 延伸 | ||
1.一种高密度电流的平面MOS封装结构，包括第一MOS管本体(1)和第二MOS管本体(2)，其特征在于：所述第一MOS管本体(1)的两侧均固定连接有竖板(3)，所述第二MOS管本体(2)的两侧均固定连接有安装板(4)，所述竖板(3)的一侧开设有固定槽(5)，所述安装板(4)一侧的顶部和底部均开设有安装槽(6)，所述固定槽(5)内壁一侧的顶部和底部均固定连接有导向杆(7)，且导向杆(7)的表面滑动连接有滑动杆(8)，且滑动杆(8)的底端与固定槽(5)的内壁滑动连接，所述滑动杆(8)的顶端依次贯穿固定槽(5)和竖板(3)并延伸至竖板(3)的顶部，所述滑动杆(8)表面一侧的顶部和底部均固定连接有横杆(9)，所述横杆(9)远离滑动杆(8)表面的一侧依次贯穿固定槽(5)和安装槽(6)并延伸至安装槽(6)的内部。
2.根据权利要求1所述的一种高密度电流的平面MOS封装结构，其特征在于：所述横杆(9)延伸安装槽(6)内部的一端通过连接块固定连接有矩形框(10)，所述矩形框(10)的顶部和底部均活动连接有卡块(11)。
3.根据权利要求2所述的一种高密度电流的平面MOS封装结构，其特征在于：两个所述卡块(11)相对的一侧之间且位于矩形框(10)的内部套设有缓冲弹簧(12)，所述矩形框(10)内壁的一侧固定连接有缓冲垫(13)。
4.根据权利要求1所述的一种高密度电流的平面MOS封装结构，其特征在于：所述安装板(4)的内部且位于安装槽(6)的顶部和底部均开设有与卡块(11)相适配的卡槽(14)，所述导向杆(7)的表面且位于滑动杆(8)表面的一侧套设有夹紧弹簧(15)。
5.根据权利要求1所述的一种高密度电流的平面MOS封装结构，其特征在于：所述安装板(4)的正面分别固定连接有连接板(16)和矩形板(17)，所述连接板(16)和矩形板(17)相对的一侧之间固定连接有固定杆(18)，所述固定杆(18)表面的顶部和底部均滑动连接有拨动杆(19)。
6.根据权利要求5所述的一种高密度电流的平面MOS封装结构，其特征在于：所述固定杆(18)的表面且位于两个拨动杆(19)表面相对的一侧之间套设有伸缩弹簧(20)，所述拨动杆(19)的一端依次贯穿安装板(4)和卡槽(14)并延伸至卡槽(14)的内部。
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