[实用新型]一种MOCVD使用的双层石墨盘有效
| 申请号: | 201821139936.2 | 申请日: | 2018-07-18 | 
| 公开(公告)号: | CN208485951U | 公开(公告)日: | 2019-02-12 | 
| 发明(设计)人: | 王国宏;张韧剑;李志聪;赵新印;肖志 | 申请(专利权)人: | 扬州中科半导体照明有限公司 | 
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 | 
| 代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 | 
| 地址: | 225009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 母盘 子盘 圆柱形石英 上表面 双层石墨 可分离式连接 边缘连接 产品良率 传统石墨 生产技术 使用寿命 同心布置 反应腔 石墨盘 外延片 下表面 衬底 圆孔 沉积 配合 垂直 洁净 引入 贯穿 覆盖 | ||
一种MOCVD使用的双层石墨盘,涉及MOCVD外延片生产技术领域,在母盘的上方同心布置子盘,子盘上设置若干贯穿子盘的用于放置MOCVD外延衬底的圆孔,在母盘的上表面的边缘连接至少两根垂直并凸出于母盘上表面的圆柱形石英柱,在子盘的下表面设置与圆柱形石英柱配合的凹槽,子盘通过凹槽与圆柱形石英柱的配合实现子盘可分离式连接在母盘上。由于母盘上表面有子盘的覆盖,始终是洁净的状态,表面不会有Coating沉积,可以继续留在反应腔中,降低温度反复变化对母盘造成的破坏,可大幅延长母盘的使用寿命,也避免了传统石墨盘每炉更换所引入的不同石墨盘间的差异,提升产品良率。
技术领域
本实用新型属于半导体技术领域,具体涉及MOCVD外延片生产技术,特别是MOCVD外延生产设备——石墨盘的结构设计。
技术背景
近年来,LED芯片广泛地应用于显示屏、背光、照明以及路灯等众多领域,随着LED的大规模应用,市场对于LED的生产效率、生产成本等提出更高的要求,需要外延持续降低LED制造成本,石墨盘作为MOCVD生产过程中的主要耗材,延长使用寿命已成为必然趋势。
然而,目前MOCVD生长使用的石墨盘基本每个Run都要通过炉外高温烘烤来清洁石墨盘表面的反应残留物,导致石墨盘使用寿命必然下降,100多个Run就要更换破损报废的石墨盘,使得生产成本很难降低。
实用新型内容
为解决石墨盘使用寿命短的问题,本实用新型提出了一种可延长石墨盘使用寿命的MOCVD使用的双层石墨盘。
本实用新型包括母盘和子盘,子盘同心布置在母盘的上方,母盘的直径不大于子盘的直径,子盘上设置若干贯穿子盘的用于放置MOCVD外延衬底的圆孔,在母盘的上表面的边缘连接至少两根垂直并凸出于母盘上表面的圆柱形石英柱,在子盘的下表面设置与圆柱形石英柱配合的凹槽,子盘通过凹槽与圆柱形石英柱的配合实现子盘可分离式连接在母盘上。
本实用新型将原来的单层石墨盘改为可拆分的两层,使用时,将子盘通过下表面的凹槽与凸出于母盘上表面的圆柱形石英柱的配合,达到子盘与母盘的相对位置的固定连接,则可以利用子盘上设置的若干用于放置MOCVD外延衬底的圆孔进入正常的外延工作程序。当MOCVD生长结束时,只需从母盘上取下子盘,放入高温烘烤炉中清洁,母盘继续留在反应腔中,再在母盘上面放入清洁后的子盘,在圆形孔洞中放入衬底(基板)继续生长即可。
由于母盘上表面有子盘的覆盖,始终是洁净的状态,表面不会有Coating沉积,可以继续留在反应腔中,这样母盘避免了取出再进入高温烘烤炉中反复的操作,降低温度反复变化对母盘造成的破坏,可以大幅延长母盘的使用寿命。由于母盘重复使用,也避免了传统石墨盘每炉更换所引入的不同石墨盘间的差异,能使MOCVD系统温度更加稳定,提升产品良率。
另外,由于子盘上用于放衬底的圆孔是贯穿子盘的,可使衬底最终放置在母盘的上表面,衬底温度始终来自于母盘上表面温度的热传递,把受更换子盘而带来温度的影响(虽然子盘规格一致,但不同子盘间还会有少许差异)降到最低,以使在产品制作过程中衬底的受热一致性更好,产品的稳定性和均匀性更强。
进一步地,为了方便加工,方便使用,本实用新型所述圆柱形石英柱为三根,对称布置在母盘的上表面的同一圆周上。
另外,本实用新型在母盘的上表面设置三个圆柱形凹槽,所述三个圆柱形凹槽对称布置在母盘的上表面的同一圆周上,在每个圆柱形凹槽内一一对应插置一根圆柱形石英柱,圆柱形石英柱的上端高于母盘的上表面。以此,通过圆柱形凹槽支撑圆柱形石英柱。三根圆柱形石英柱主要起到连接母盘和子盘的目的,且石英柱受到母盘和子盘的包覆,不会受到反应气体的影响,也不会在石英柱表面沉积过多的反应残留物,石英柱的寿命和整个系统的稳定性大幅增强。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





