[实用新型]一种MOCVD使用的双层石墨盘有效
| 申请号： | 201821139936.2 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN208485951U | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王国宏;张韧剑;李志聪;赵新印;肖志 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 母盘 子盘 圆柱形石英 上表面 双层石墨 可分离式连接 边缘连接 产品良率 传统石墨 生产技术 使用寿命 同心布置 反应腔 石墨盘 外延片 下表面 衬底 圆孔 沉积 配合 垂直 洁净 引入 贯穿 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOCVD使用的双层石墨盘，其特征在于：包括母盘和子盘，子盘同心布置在母盘的上方，母盘的直径不大于子盘的直径，子盘上设置若干贯穿子盘的用于放置MOCVD外延衬底的圆孔，在母盘的上表面的边缘连接至少两根垂直并凸出于母盘上表面的圆柱形石英柱，在子盘的下表面设置与圆柱形石英柱配合的凹槽，子盘通过凹槽与圆柱形石英柱的配合实现子盘可分离式连接在母盘上。
2.根据权利要求1所述MOCVD使用的双层石墨盘，其特征在于：所述圆柱形石英柱为三根，对称布置在母盘的上表面的同一圆周上。
3.根据权利要求2所述MOCVD使用的双层石墨盘，其特征在于：在母盘的上表面设置三个圆柱形凹槽，所述三个圆柱形凹槽对称布置在母盘的上表面的同一圆周上，在每个圆柱形凹槽内一一对应插置一根圆柱形石英柱，圆柱形石英柱的上端高于母盘的上表面。
4.根据权利要求3所述MOCVD使用的双层石墨盘，其特征在于：所述圆柱形凹槽的深度为5～15mm，直径为3mm～10mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
