[实用新型]电路和电子设备

说明书

本实用新型涉及电路和电子设备。本公开涉及一种电路和一种电子设备。所述电路可包括具有主体、漏极、栅极和源极的场效应晶体管。在一个实施方案中，所述电路还可包括可具有基极和集电极的双极晶体管，其中所述双极晶体管的所述集电极耦接到所述场效应晶体管的所述主体；并且所述场效应晶体管的所述漏极耦接到所述双极晶体管的所述基极。在另一个实施方案中，所述电路可包括具有阳极和阴极的二极管，其中所述场效应晶体管的所述源极耦接到所述二极管的所述阳极，并且所述场效应晶体管的所述栅极耦接到所述二极管的所述阴极。在另一方面，所述电子设备可包括对应于所述电路内的组件的一个或多个物理结构。

技术领域

本公开涉及电路和电子设备，具体地讲涉及包括场效应晶体管和双极晶体管的电路，并且涉及包括环形抑制结构的电子设备。

背景技术

振荡是电源转换电路中存在的问题。大电流的切换会与电路中的寄生电感反应，从而产生潜在的大电压过冲。在金属氧化物半导体场效应晶体管体二极管的反向恢复期间或在硬开关电路拓扑结构中可能发生振荡。因此，需要进一步改进以解决振荡问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的问题是减少金属氧化物半导体场效应晶体管体二极管的反向恢复期间或硬开关电路拓扑结构中可能发生的振荡量。

在一个方面，提供了一种电路。该电路包括：具有主体和漏极的第一场效应晶体管；以及具有基极和集电极的双极晶体管。双极晶体管的集电极耦接到第一场效应晶体管的主体，并且第一场效应晶体管的漏极耦接到双极晶体管的基极。

在一个实施方案中，电路还包括：耦接到第一场效应晶体管的漏极的第一电源端子；耦接到第一场效应晶体管的源极的第二电源端子；以及具有栅极的第二场效应晶体管，其中第二场效应晶体管的栅极和双极晶体管的基极耦接到第一电源端子。

在一个具体实施方案中，电路还包括具有阳极和阴极的第一二极管，其中阴极耦接到第一电源端子，并且阳极耦接到第二场效应晶体管的源极。

在一个更具体的实施方案中，电路还包括：具有源极和漏极的第三场效应晶体管，其中漏极耦接到第二电源端子；电荷存储元件，该电荷存储元件具有耦接到第一电源端子的第一端子以及耦接到第三场效应晶体管的源极的第二端子；以及第一电阻器，该第一电阻器具有耦接到第二场效应晶体管的源极的第一端子以及耦接到第三场效应晶体管的源极的第二端子。

在一个甚至更具体的实施方案中，第一场效应晶体管是增强型功率n沟道绝缘栅场效应晶体管，双极晶体管是PNP晶体管，第二晶体管和第三晶体管中的每一者是耗尽型p沟道结型场效应晶体管，第一二极管是具有阳极和阴极的第一pn结二极管，电荷存储元件是具有阳极和阴极的第二pn结二极管，双极晶体管的发射极电气连接到第二场效应晶体管的漏极，双极晶体管的基极、第二场效应晶体管的栅极、第三场效应晶体管的栅极以及第一pn结二极管和第二pn结二极管的阴极彼此电气连接，第二场效应晶体管的源极电气连接到第一pn结二极管的阳极，并且第三场效应晶体管的源极电气连接到第二pn结二极管的阳极。

在另一方面，提供了另一种电路。该电路包括：具有阳极和阴极的第一二极管；以及具有源极和栅极的第一场效应晶体管，其中源极耦接到第一二极管的阳极，并且栅极耦接到第一二极管的阴极。

在一个实施方案中，该电路还包括：第一电路端子；第二电路端子；电阻器，该电阻器具有第一端子和第二端子；第二二极管，该第二二极管具有阳极和阴极；第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管具有源极、栅极和漏极；以及双极晶体管，该双极晶体管具有发射极、基极和集电极。第一二极管和第二二极管的阴极、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的栅极、双极晶体管的基极以及第一电路端子彼此电气连接，电阻器的第一端子耦接到第一场效应晶体管的漏极，电阻器的第二端子耦接到第二电路端子，双极晶体管的发射极电气连接到第二场效应晶体管的漏极。