[实用新型]电路和电子设备

权利要求书

1.一种电路，其特征在于，所述电路包括：

第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管具有主体和漏极；以及

双极晶体管，所述双极晶体管具有基极和集电极，

其中：

所述双极晶体管的所述集电极耦接到所述第一场效应晶体管的所述主体，并且

所述第一场效应晶体管的所述漏极耦接到所述双极晶体管的所述基极。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：

第一电源端子，所述第一电源端子耦接到所述第一场效应晶体管的所述漏极；

第二电源端子，所述第二电源端子耦接到所述第一场效应晶体管的源极；以及

第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管具有栅极；

其中所述第二场效应晶体管的所述栅极和所述双极晶体管的所述基极耦接到所述第一电源端子。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：

第一二极管，所述第一二极管具有阳极和阴极，其中所述阴极耦接到所述第一电源端子，并且所述阳极耦接到所述第二场效应晶体管的源极。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：

第三场效应晶体管，所述第三场效应晶体管具有源极和漏极，其中所述漏极耦接到所述第二电源端子；

电荷存储元件，所述电荷存储元件具有耦接到所述第一电源端子的第一端子以及耦接到所述第三场效应晶体管的所述源极的第二端子；以及

第一电阻器，所述第一电阻器具有耦接到所述第二场效应晶体管的所述源极的第一端子以及耦接到所述第三场效应晶体管的所述源极的第二端子。

5.根据权利要求4所述的电路，其中：

所述第一场效应晶体管是增强型功率n沟道绝缘栅场效应晶体管，

所述双极晶体管是PNP晶体管，

所述第二场效应晶体管和所述第三场效应晶体管中的每一者是耗尽型p沟道结型场效应晶体管，

所述第一二极管是具有阳极和阴极的第一pn结二极管，

所述电荷存储元件是具有阳极和阴极的第二pn结二极管，

所述双极晶体管的发射极电气连接到所述第二场效应晶体管的漏极，

所述双极晶体管的所述基极、所述第二场效应晶体管的所述栅极、所述第三场效应晶体管的栅极以及所述第一pn结二极管和所述第二pn结二极管的所述阴极彼此电气连接，

所述第二场效应晶体管的所述源极电气连接到所述第一pn结二极管的所述阳极，并且

所述第三场效应晶体管的所述源极电气连接到所述第二pn结二极管的所述阳极。

6.一种电路，其特征在于，所述电路包括：

第一二极管，所述第一二极管具有阳极和阴极；以及

第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管具有源极和栅极，其中所述源极耦接到所述第一二极管的所述阳极，并且所述栅极耦接到所述第一二极管的所述阴极。

7.根据权利要求6所述的电路，其特征在于，所述电路还包括：

第一电路端子；

第二电路端子；

电阻器，所述电阻器具有第一端子和第二端子；

第二二极管，所述第二二极管具有阳极和阴极；

第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管具有源极、栅极和漏极；以及双极晶体管，所述双极晶体管具有发射极、基极和集电极，

其中：

所述第一二极管和所述第二二极管的所述阴极、所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的所述栅极、所述双极晶体管的所述基极以及

所述第一电路端子彼此电气连接；

所述电阻器的所述第一端子耦接到所述第一场效应晶体管的漏极，

所述电阻器的所述第二端子耦接到所述第二电路端子，并且

所述双极晶体管的所述发射极电气连接到所述第二场效应晶体管的所述漏极。