[实用新型]DOE监控集成封装模块有效

专利信息
申请号: 201821088540.X 申请日: 2018-07-10
公开(公告)号: CN208367349U 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 蒋建华 申请(专利权)人: 深圳市安思疆科技有限公司
主分类号: G02B27/42 分类号: G02B27/42
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 方艳平
地址: 518129 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基底 集成封装 金属电极 空白位置 本实用新型 监控 两端头位置 连接关系 连接金属 制造成本 间隔件 微结构 衍射光 粘合 刻蚀 预设 制程
【权利要求书】:

1.一种DOE监控集成封装模块,其特征在于,包括第一DOE基底和第二DOE基底,其中:

在所述第一DOE基底的第一面上分别设有第一金属电极和第一ITO图案,其中所述第一金属电极设置在所述第一ITO图案的两端头位置处,且在所述第一ITO图案中设有第一空白位置,在所述第一空白位置处露出所述第一DOE基底,且在所述第一空白位置处刻蚀形成衍射光的第一微结构;

在所述第二DOE基底的第一面上分别设有第二金属电极和第二ITO图案,其中所述第二金属电极设置在所述第二ITO图案的两端头位置处,且在所述第二ITO图案中设有第二空白位置,在所述第二空白位置处露出所述第二DOE基底,且在所述第二空白位置处刻蚀形成衍射光的第二微结构;

所述第一DOE基底的第一面与所述第二DOE基底的第一面相对设置且分别粘合在预定厚度的间隔件的两面,并且所述第一金属电极和所述第二金属电极通过连接金属按照预设的连接关系连接起来。

2.根据权利要求1所述的DOE监控集成封装模块,其特征在于,其中在所述第一DOE基底的第一面上设有的第一ITO图案是通过镀在所述第一DOE基底的第一面上的第一ITO层上刻蚀形成,在所述第二DOE基底的第一面上设有的第二ITO图案是通过镀在所述第二DOE基底的第一面上的第二ITO层上刻蚀形成。

3.根据权利要求1所述的DOE监控集成封装模块,其特征在于,所述第一ITO图案在两端头的所述第一金属电极之间形成一第一电阻,所述第二ITO图案在两端头的所述第二金属电极之间形成一第二电阻。

4.根据权利要求3所述的DOE监控集成封装模块,其特征在于,所述第一电阻和所述第二电阻分别是由单一电阻组成或者由多个相互并联的电阻组成。

5.根据权利要求3所述的DOE监控集成封装模块,其特征在于,预设的连接关系是指将所述第一ITO图案相对应的所述第一电阻与所述第二ITO图案相对应的所述第二电阻进行串联或者并联。

6.根据权利要求1所述的DOE监控集成封装模块,其特征在于,所述间隔件采用UV树脂类材料,厚度为80~150μm。

7.一种DOE监控集成封装模块,其特征在于,包括第一DOE基底和第二DOE基底,其中:

在所述第一DOE基底的第一面上分别设有第一金属电极和第一ITO图案,其中所述第一金属电极设置在所述第一ITO图案的两端头位置处,在所述第一金属电极和所述第一ITO图案上还设有一层第一刻蚀层,在所述第一刻蚀层上设有用于衍射光的第一微结构;

在所述第二DOE基底的第一面上分别设有第二金属电极和第二ITO图案,其中所述第二金属电极设置在所述第二ITO图案的两端头位置处,在所述第二金属电极和所述第二ITO图案上还设有一层第二刻蚀层,在所述第二刻蚀层上设有用于衍射光的第二微结构;

所述第一刻蚀层的表面与所述第二刻蚀层的表面相对设置且分别粘合在预定厚度的间隔件的两面,并且所述第一金属电极和所述第二金属电极通过连接金属按照预设的连接关系连接起来。

8.根据权利要求7所述的DOE监控集成封装模块,其特征在于,所述第一刻蚀层和所述第二刻蚀层分别为二氧化硅、氮氧化硅或者树脂类材料;所述间隔件采用UV树脂类材料,厚度为80~150μm。

9.根据权利要求7所述的DOE监控集成封装模块,其特征在于,所述第一ITO图案在两端头的所述第一金属电极之间形成一第一电阻,所述第二ITO图案在两端头的所述第二金属电极之间形成一第二电阻;其中所述第一电阻和所述第二电阻分别是由单一电阻组成或者由多个相互并联的电阻组成。

10.根据权利要求9所述的DOE监控集成封装模块,其特征在于,预设的连接关系是指将所述第一ITO图案相对应的所述第一电阻与所述第二ITO图案相对应的所述第二电阻进行串联或者并联。

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