[实用新型]一种紫外发光二极管的倒装芯片封装结构

说明书

本实用新型公开了一种紫外发光二极管的倒装芯片封装结构，包括封装基板、黏合层、倒装芯片、玻璃透光盖板、芯片避位槽；其中：所述封装基板上设置有封装基板内侧空腔、避位凹槽、封装基板卡合结构，所述避位凹槽上设置有黏合层，所述倒装芯片上设有p层电极和n层电极，所述倒装芯片位于所述封装基板上，并使所述p层电极、n层电极连接至所述封装基板上相对应的位置。本实用新型的优点在于：紫外光倒装芯片出光的上表面大致和玻璃透光盖板贴合,可减少光在倒装芯片出光面和玻璃透光盖板的介面发生全反射的概率,提升发光亮度；玻璃透光盖板和封装基板使用机构卡合的方式做结合，取代传统封装结构上有机黏剂的使用。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管生产技术领域，尤其涉及一种紫外发光二极管的倒装芯片封装结构。

背景技术

随著发光二极管技术不断进步，近年来紫外光波段的发光二极管也被高度关注。紫外发光二极管具有节能、环保、高效能等优点，在照明、医疗、印刷、杀菌领域，用来替代传统汞灯趋势日渐显著，发光二极管芯片设计一般可分为正装芯片、倒装芯片和垂直结构芯片, 紫外发光二极管芯片设计一般是采用倒装芯片和垂直结构芯片,主要是因为紫外发光二极管芯片的P型半导体层有吸光疑虑与芯片工作时发热问题较严重, 需要使用N型半导体层为发光面与散热性能更佳的芯片设计所致。

传统发光二极管芯片封装是使用有机封装材料填充在芯片四周,隔绝芯片和空气接触,一方面可增加封装结构的可靠性,一方面可避免芯片和空气直接接触时因材料n值差异过大,介面全反射严重导致取光效率下降的问题，如图1所示，紫外发光二极管因为紫外光会导致有机材料的黄化和劣化,所以紫外发光二极管芯片封装一般是在芯片四周填充惰性气体或是抽真空,然而这种方式会导致芯片到介质（惰性气体或真空） 因n值差异过大,介面全反射严重导致取光效率下降,存在不足。

实用新型内容

（一）解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种紫外发光二极管的倒装芯片封装结构，解决了现有技术中介面全反射严重导致取光效率下降的问题。

（二）技术方案

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种紫外发光二极管的倒装芯片封装结构，包括封装基板、黏合层、倒装芯片、玻璃透光盖板、芯片避位槽；其中：所述封装基板上设置有封装基板内侧空腔、避位凹槽、封装基板卡合结构，所述避位凹槽上设置有黏合层，所述倒装芯片上设有p层电极和n层电极，所述倒装芯片位于所述封装基板上，并使所述p层电极、n层电极连接至所述封装基板上相对应的位置，所述倒装芯片置于芯片避位槽内，所述玻璃透光盖板放置于所述封装基板上，对所述玻璃透光盖板施加压力，利用所述封装基板因为应力造成的弹性变形，让所述玻璃透光盖板可以进入所述封装基板内侧空腔，所述倒装芯片出光的上表面大致与玻璃透光盖板贴合，所述封装基板的避位凹槽内设置有黏合层，所述黏合层与玻璃透光盖板黏合。

一种紫外发光二极管的倒装芯片封装结构，其中：所述芯片避位槽内可以填充任何惰性气体、有机材料或维持真空。

（三）有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了一种紫外发光二极管的倒装芯片封装结构，具备以下有益效果：紫外光倒装芯片出光的上表面大致和玻璃透光盖板贴合, 可减少光在倒装芯片出光面和玻璃透光盖板的介面发生全反射的概率, 提升发光亮度；玻璃透光盖板和封装基板使用机构卡合的方式做结合，取代传统封装结构上有机黏剂的使用；黏合层设置在避位凹槽内, 避位凹槽高度低于紫外光倒装芯片，可以减少黏合层材料受紫外光直接照射导致黏合层材料黄化及裂化的问题, 并可确保芯片避位槽内密闭条件，防止外部气体进入。

附图说明

图1 为一种传统芯片封装结构的侧视图。

图2 为本实用新型中封装基板的结构示意图。

图3 为本实用新型中封装基板和玻璃透光盖板结合前示意图。