[实用新型]一种冷却站有效
| 申请号: | 201821040534.7 | 申请日: | 2018-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN208478300U | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
| 发明(设计)人: | 薛荣华;阚保国;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 侦测元件 冷却腔 冷却物 本实用新型 预设位置 体内 冷却站 晶圆 侦测 机台 晶圆位置 冷却腔体 生产效率 支架设置 偏移 支架 破损 | ||
本实用新型提供了一种冷却站,包括:冷却腔体;用于放置待冷却物的支架,所述支架设置于所述冷却腔体内;以及用于侦测所述待冷却物是否在预设位置范围内的侦测元件,所述侦测元件设置于所述冷却腔体内。本实用新型通过在冷却腔体内设置侦测元件,其用于侦测待冷却物是否在预设位置范围内,以减少晶圆位置偏移造成晶圆破损,并降低机台宕机率,提高晶圆生产效率。
技术领域
本实用新型涉及集成电路制造领域,特别是涉及一种冷却站。
背景技术
随着科技的快速发展,高科技电子产品使用于日常生活已是相当普遍,例如手机、主板、数字相机等电子产品,该类电子产品内部皆装设并布满许多半导体器件,而半导体器件的材料来源就是晶圆,为了能够满足各式高科技电子产品的大量需求,故晶圆代工产业皆以如何更加快速且精确制造出晶圆为目标,不断地进行研发与改良突破。
在晶圆的加工过程中,晶圆从工作腔体中出来时温度一般在80℃至170℃之间,需要经过冷却站将温度冷却至一定范围(例如是≤50℃)才可以进行后续操作。而当冷却站整体发生倾斜未被及时纠正,以及,晶圆通过传送手臂放入冷却站或自冷区站取出时位置发生偏移,都会造成晶圆之间相互发生摩擦、碰撞或与冷却站的腔体内壁发生碰撞,从而造成晶圆破损,严重时甚至引起机台宕机,影响晶圆生产效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种冷却站,以减少因晶圆位置偏移造成晶圆破损,并降低机台宕机率,提高晶圆生产效率。
为了解决上述问题,本实用新型提出了一种冷却站,包括:冷却腔体;用于放置待冷却物的支架,所述支架设置于所述冷却腔体内;以及用于侦测所述待冷却物是否在预设位置范围内的侦测元件,所述侦测元件设置于所述冷却腔体内。
可选的,所述冷却腔体包括:相对设置的上内壁和下内壁;以及连接所述上内壁和下内壁多个侧内壁。
可选的,所述支架包括:多个凸起部分,所述多个凸起部分分别设置于所述冷却腔体的多个侧内壁上,所述多个凸起部分共同构成一承载面,所述承载面用于放置所述待冷却物。
可选的,所述侦测元件包括:多对光电传感器,每对光电传感器分别设置在所述冷却腔体的上内壁和下内壁,每对光电传感器的连线均垂直于所述承载面,待冷却物超出预设位置范围时至少一对光电传感器的信号被阻断。
可选的,所述待冷却物为晶圆,每三个凸起部分共同构成一承载面。
可选的,所述侦测元件包括至少为3对光电传感器。
可选的,所述冷却腔体为长方体结构。
可选的,所述冷却腔体设置有用于待冷却物出入的开口。
可选的,还包括:用于显示所述侦测元件状态的显示元件,所述显示元件设置于所述冷却腔体上。
可选的,所述冷却腔体的材质为不锈钢。
由于采用了以上技术方案,本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型提供的一种冷却站,通过在冷却腔体内设置侦测元件,其用于侦测待冷却物(例如是晶圆)是否在预设位置范围内,以减少晶圆位置偏移造成晶圆破损,并降低机台宕机率,提高晶圆生产效率。
附图说明
图1为本实用新型一实施例提供的冷却站的示意图;
图2为本实用新型一实施例的光电传感器的位置示意图。
附图标记说明:
100-冷却腔体;101-上内壁;102-下内壁;104-后侧内壁;105-左侧内壁;106-右侧内壁;
200-侦测元件;210-光电传感器;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821040534.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶圆位置侦测系统
- 下一篇:一种POWER封装防氧化冷却系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





