[实用新型]一种MPCVD设备基板台冷却结构

说明书

本实用新型涉及一种MPCVD设备基板台冷却结构，包括基板台支撑台、设置有冷却液出口的冷却管，还包括设置于冷却液出口处的喷头，所述喷头的一端连接冷却管，另一端设置有截面面积覆盖基板台支撑台底面的喷口。本实用新型使冷却液经过冷却管进入喷头并储存于喷头内，冷却液均匀分布在基板台底部，实现基板台底部全覆盖，进而使基板台得以均匀冷却。喷头与冷却管之间通过连接螺纹连接，喷口与基板台支撑台的距离通过连接螺纹进行调节，在流量不变的情况下，通过调节两者的距离，可调节冷却速度，距离大，冷却速度慢；距离小，冷却速度快，即根据需求调节冷却效果。

技术领域

本实用新型涉及MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)设备中的冷却结构，具体涉及一种MPCVD设备基板台冷却结构。

背景技术

MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)法是合成高质量金刚石最具潜力的方法之一。MPCVD反设备是通过将微波发生器产生的微波，经波导传输系统进入反应设备的腔内(反应腔)，往反应腔中通入甲烷和氢气的混合气体，在微波的激励下，在反应腔内产生辉光放电，使反应气体的分子离化，产生等离子体，在基板台沉积得到金刚石膜。基板台的温度均匀性影响金刚石膜的生长，基板台冷却均匀有利于保持基板台的温度均匀性，进而得到质量好的金刚石膜。

目前基板台冷却结构为通过一根冷却管，将冷却液直接喷在基板台底部冷却管正上方区域，其余非冷却管正上方区域的位置冷却液覆盖面积小，导致基板台冷却不均匀，而且冷却速度的快慢也不能调节。

实用新型内容

本实用新型是针对现有基板台冷却结构的缺点，提供基板台冷却均匀及冷却速度可调节的一种MPCVD设备基板台冷却结构，包括基板台支撑台、设置有冷却液出口的冷却管，还包括设置于冷却液出口处的喷头，其特征在于所述喷头的一端连接冷却管，另一端设置有截面面积基本覆盖基板台支撑台底面面积的喷口，所述喷头与基板台支撑台之间还有缝隙，供冷却液流出。

具体地，还包括支撑台连接件、密封件、冷却液排出管接头，所述密封件用于基板台支撑台和支撑台连接件的密封，所述冷却液排出管接头设置于支撑台连接件的底部。

可选地，所述喷头为漏斗型，所述喷口为漏斗的大端通口。

可选地，所述喷头为漏斗型，在漏斗的大端口设置有喷口盖，所述喷口盖上设置有均匀分布的小通孔。

具体地，所述喷头与基板台支撑台之间的缝隙宽度为2～15mm。

优选地，所述喷头与冷却管之间活动连接，以便于调整喷口与基板台支撑台底面的距离。

具体地，所述喷头与冷却管之间活动连接为螺纹连接，喷口与基板台支撑台底面的距离通过连接螺纹进行调节。

本实用新型的一种MPCVD设备基板台冷却结构，使冷却液经过冷却管进入喷头并储存于喷头内，冷却液均匀分布在基板台底部，实现基板台底部全覆盖，进而使基板台得以均匀冷却。喷头与冷却管之间通过连接螺纹连接，喷口与基板台支撑台的距离通过连接螺纹进行调节，在流量不变的情况下，通过调节两者的距离，可调节冷却速度，距离大，冷却速度慢；距离小，冷却速度快，即根据需求调节冷却效果。

附图说明

图1为本发明的基板台冷却结构示意图；

图2为图1的B向A-A剖视图；

图3为在漏斗的大端口设置有喷口盖的喷头结构示意图。

其中，1-基板台；2-基板台支撑台(21-基板台支撑台底面)；3-喷头(31-大端通口；32-喷口盖；321-小通孔)；4-冷却管(41-冷却液出口)；5-密封件；6-支撑台连接件；7-冷却液排出管接头。

具体实施方式

以下结合实施例对本实用新型作进一步描述。