[实用新型]一种可控硅控制电路

说明书

本实用新型公开了一种可控硅控制电路，包括NPN型三极管、可控硅、第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻、第一贴片电容及第二贴片电容；所述NPN型三极管的基极通过第一限流电阻连接单片机驱动端口并通过第一限流电阻及第一电容接地，所述NPN型三极管的集电极通过第二限流电阻连接电源并通过第三限流电阻及第二电容连接可控硅的控制极，所述NPN型三极管的发射极连接零线并接地；所述可控硅的第一主电极连接零线以控制零线输出，所述可控硅的第二主电极为输出端子。采用本实用新型，可避免单片机死机或初次上电时，可控硅误触发，从而更加可靠的控制可控硅，提高安全性。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种可控硅控制电路。

背景技术

目前大多数的可控硅驱动电路都是高电平或者低电平触发。具体地，可控硅驱动电路可通过光耦控制，也可以不通过光耦进行控制。

图1为使用光耦控制可控硅的常用电路。如图1所示，U1是MOC3041双向光耦，具有隔离作用，当OPTO端口电平为低电平时，双向光耦U1导通，SCR1可控硅T1和T2导通，可控硅工作在一、三象限；当OPTO端口电平为高电平时，双向光耦U1不导通，SCR1可控硅T1和T2在电压和电流过零时关闭，R9是限流电阻，电阻R8和电容C5的作用是降低可控硅的灵敏度，电阻R10和电容C4构成RC吸收电路，当可控硅关闭时，用于保护可控硅。此电路中，可控硅一般工作在一、三象限，当单片机死机时，若端口锁死在低电平，可控硅将要一直导通，不受控制，容易产生意外，出现安全隐患。另外，单片机初次上电时，控制可控硅的端口一般为低电平，此时，可控硅会出现一上电则导通的情况，由于单片机处理速度不够，容易导致一上电无法及时切换端口到高电平的情况。

图2为不使用光耦控制可控硅的常用电路。如图2所示，ACN和12V相连接，HTSIDE端口为高电平时，三极管Q2导通，电阻R16限流，可控硅TR1导通，工作在二、三象限。当HTSIDE端口为低电平时，三极管Q2不导通，关闭可控硅TR1的输出。此电路中，可控硅一般工作在二、三象限或者一、四象限，其中，可控硅在第四象限的工作特性比较差，容易出现可控硅失效的问题；同时，当单片机死机时，若端口锁死在高电平，可控硅将要一直导通，不受控制，容易产生意外，出现安全隐患。

相应地，图3为另一种可控硅控制电路的常用电路。如图3所示，R9为限流电阻，当IO_R9端口为高电平时，可控硅在一、四象限工作导通，当IO_R9端口为低电平时，可控硅不导通，CC4为101电容，减低触发极的灵敏度。因此，可控硅有半个工作周期在第四象限，可控硅容易损坏；同时，当单片机死机时，若端口锁死在高电平，可控硅将要一直导通，不受控制，容易产生意外，出现安全隐患。

因此，急需提供一种低成本、安全可靠的可控硅控制电路以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种结构简单的可控硅控制电路，可避免单片机死机或初次上电时，可控硅误触发，从而更加可靠的控制可控硅，提高安全性。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种可控硅控制电路，包括NPN型三极管、可控硅、第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻、第一电容及第二电容；所述NPN型三极管的基极通过第一限流电阻连接单片机驱动端口并通过第一限流电阻及第一电容接地，所述NPN型三极管的集电极通过第二限流电阻连接电源并通过第三限流电阻及第二电容连接可控硅的控制极，所述NPN型三极管的发射极连接零线并接地；所述可控硅的第一主电极连接零线以控制零线输出，所述可控硅的第二主电极为输出端子。

作为上述方案的改进，所述的可控硅控制电路还包括瞬态抑制二极管，所述瞬态抑制二极管正极连接第一主电极，所述瞬态抑制二极管的负极连接第二主电极。

作为上述方案的改进，所述单片机驱动端口输出方波信号。