[实用新型]一种可控硅控制电路有效
| 申请号： | 201821028478.5 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208461794U | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 项方 | 申请（专利权）人： | 佛山市谱德电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市顺德区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 限流电阻 可控硅 零线 可控硅控制电路 本实用新型 贴片电容 单片机驱动 单片机死机 发射极连接 电容接地 电容连接 连接电源 输出端子 接地 集电极 控制极 误触发 主电极 上电 主电 输出 | ||
1.一种可控硅控制电路，其特征在于，包括NPN型三极管、可控硅、第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻、第一电容及第二电容；
所述NPN型三极管的基极通过第一限流电阻连接单片机驱动端口并通过第一限流电阻及第一电容接地，所述NPN型三极管的集电极通过第二限流电阻连接电源并通过第三限流电阻及第二电容连接可控硅的控制极，所述NPN型三极管的发射极连接零线并接地；
所述可控硅的第一主电极连接零线以控制零线输出，所述可控硅的第二主电极为输出端子。
2.如权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，还包括瞬态抑制二极管，所述瞬态抑制二极管正极连接第一主电极，所述瞬态抑制二极管的负极连接第二主电极。
3.如权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述单片机驱动端口输出方波信号。
4.如权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，还包括RC吸收电路，所述RC吸收电路的一端连接第一主电极，另一端连接第二主电极。
5.如权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述NPN型三极管的基极与NPN型三极管的发射极之间通过下拉电阻连接。
6.如权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述第二限流电阻为欧姆限流电阻。
7.如权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述第三限流电阻为欧姆限流电阻。
8.如权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述第一电容为贴片电容。
9.如权利要求1所述的可控硅控制电路，其特征在于，所述第二电容为贴片电容。
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