[实用新型]一种碳化硅籽晶片的粘合装置有效
申请号: | 201821020049.3 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN208379052U | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 廖弘基;张洁;陈华荣 | 申请(专利权)人: | 福建北电新材料科技有限公司 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B23/00 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 362211 福建省泉州*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨盖 碳化硅籽晶 粘合装置 加热板 碳胶 本实用新型 伺服电机 籽晶片 底座 底板 光学显微镜 残余空气 底板顶端 滑动连接 内部固定 热能传递 不均匀 再利用 粘合 滑槽 腔体 位杆 压块 支板 加热 加压 | ||
本实用新型公开了一种碳化硅籽晶片的粘合装置,包括底板,腔体的内部固定安装有伺服电机,伺底座的顶端设有加热板,加热板的顶端设有石墨盖,第一滑槽的内部滑动连接有限位杆,第二支板的顶端设有光学显微镜,底板顶端的另一侧设有箱体,箱体的内部开设有碳胶室和压块室,本实用新型一种碳化硅籽晶片的粘合装置,利用加热板加热放于石墨盖上的碳胶,伺服电机带动底座旋转,使得碳胶能够均匀的分布在石墨盖上,放上籽晶片后,再利用重量加压的方式,把残余空气排掉,让籽晶片能够紧密地与石墨盖粘合在一起,使得热能传递更加均匀,改善因温度不均匀造成的缺陷形成。
技术领域
本实用新型涉及粘合装置,特别涉及一种碳化硅籽晶片的粘合装置,属于晶片加工技术领域。
背景技术
碳化硅单晶材料属于第三代宽带隙半导体材料的代表,具有宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点,将有望突破第一、二代半导体材料应用技术的发展瓶颈,主要应用在半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器以及其他等领域,目前碳化硅单晶生长以物理气相沉积法(PVT)为主要生长方式,其难度非常高,必须在2100oC以上温度与低压环境下将碳化硅粉末直接升华成气体,并沿着温度梯度从高温区传输到较低温度区域的籽晶处沉积结晶。
而籽晶片的固定方式以粘合方式为主,将籽晶片与石墨盖以碳胶黏合在一起,并升温让碳胶固化,以防止籽晶片在晶体生长过程中剥离脱落。籽晶片与石墨盖的粘合面情况也影响着晶体品质,其中包括缺陷的形成,结晶性的好坏。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种碳化硅籽晶片的粘合装置,以解决上述背景技术中提出的籽晶片的固定方式以粘合方式为主,将籽晶片与石墨盖以碳胶黏合在一起,并升温让碳胶固化,以防止籽晶片在晶体生长过程中剥离脱落。籽晶片与石墨盖的粘合面情况也影响着晶体品质,其中包括缺陷的形成,结晶性的好坏的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种碳化硅籽晶片的粘合装置,包括底板,所述底板的内部开设有腔体,所述腔体的内部固定安装有伺服电机,所述伺服电机的输出轴固定连接有底座,所述底座的顶端设有加热板,所述加热板的顶端设有石墨盖,所述底座的两侧均设有支块,所述支块的两侧均开设有第一滑槽,所述第一滑槽的内部滑动连接有限位杆,所述底板顶端的一侧设有滑轨,所述滑轨上滑动连接有支撑杆,所述支撑杆底部的一侧设有第一支板,所述第一支板的顶端设有液压缸,所述支撑杆的一侧开设有第二滑槽,所述第二滑槽的内部滑动连接有第二支板,所述第二支板的底端与液压缸的输出轴固定连接,所述第二支板的顶端设有光学显微镜,所述底板顶端的另一侧设有箱体,所述箱体的内部开设有碳胶室和压块室。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述限位杆的一侧设有定位螺杆。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述底板的一侧设有控制面板,所述控制面板上设有第一开关、第二开关和第三开关,所述伺服电机通过第一电机与外接电源电性连接,所述液压缸通过第二开关与外接电源电性连接,所述加热板通过第三开关与外接电源电性连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述压块室的内部放置有压块,所述碳胶室的内部放置有碳胶。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型一种碳化硅籽晶片的粘合装置,利用加热板加热放于石墨盖上的碳胶,伺服电机带动底座旋转,使得碳胶能够均匀的分布在石墨盖上,放上籽晶片后,再利用重量加压的方式,把残余空气排掉,让籽晶片能够紧密地与石墨盖粘合在一起,使得热能传递更加均匀,改善因温度不均匀造成的缺陷形成。
附图说明
图1为本实用新型正面结构示意图;
图2为本实用新型的支块的结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建北电新材料科技有限公司,未经福建北电新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821020049.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种生长单晶金刚石的生长结构
- 下一篇:一种单晶硅片退火冷却箱