[实用新型]太阳能电池芯片及太阳能电池组件

说明书

本公开是关于一种太阳能电池芯片，包括：衬底基板、背电极层、光转化层和前电极层，背电极层设于衬底基板上；光转化层设于所述背电极层远离衬底基板的一侧，并且所述光转化层的边沿到所述背电极层的边沿具有预设的距离，前电极层设于所述光转化层远离背电极层的一侧，并且前电极层的边沿和所述光转化层的边沿对齐。在光转化层和背电极之间形成阶梯结构，避免加工过程中切除后的导电材料会粘附在切面上，导致前电极和背电极并联搭接的问题。

技术领域

本公开涉及技术领域太阳能薄膜技术领域，具体而言，涉及一种太阳能电池芯片及太阳能电池组件。

背景技术

随着煤、石油、天然气等能源日益枯竭和环境污染日益加剧，人们迫切需要寻找清洁可再生新能源。作为地球无限可再生的无污染能源太阳能的应用日益引起人们的关注，太阳能电池能实现光电转换。

目前，太阳能电池芯片通常包括玻璃基板、背电极、光吸收层、前电极等，玻璃基板、背电极、光吸收层和前电极逐层分布。在芯片的加工过程中，往往需要对背电极、光吸收层、前电极的边沿进行切除。在切除过程中切除后的导电材料会粘附在切面上，导致前电极和背电极并联搭接，降低产品的导电性能。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种太阳能电池芯片及太阳能电池组件，进而克服太阳能电池芯片在切边过程中切除后的导电材料会粘附在切面上，导致前电极和背电极并联搭接，降低产品的导电性能的问题。

根据本公开的一个方面，提供一种太阳能电池芯片，包括：

衬底基板；

背电极层，设于衬底基板上；

光转化层，设于所述背电极层远离衬底基板的一侧，并且所述光转化层的外边沿到所述背电极层的外边沿具有预设的距离；

前电极层，设于所述光转化层远离背电极层的一侧，并且前电极层的边沿和所述光转化层的边沿对齐。

根据本公开的一实施方式，所述光转化层包括：

缓冲层，位于所述前电极层和所述背电极层之间，并且所述缓冲层的边沿和所述前电极层的边沿对齐；

光吸收层，位于所述缓冲层和所述背电极层之间，并且所述光吸收层的边沿和所述缓冲层的边沿对齐。

根据本公开的一实施方式，所述背电极层未被所述光转化层覆盖的区域包括首尾相接的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。

根据本公开的一实施方式，所述第一区域的和所述第三区域的宽度相同，所述第二区域和所述第四区域的宽度相同，并且第一区域的宽度小于第二宽度的距离。

根据本公开的一实施方式，所述第一区域和第三区域的宽度为0.01mm～0.1mm。

根据本公开的一实施方式，所述第二区域和第四区域的宽度为2.5mm～3.5mm。

根据本公开的一实施方式，所述光吸收层的材料为CIGS。

根据本公开的一实施方式，所述前电极层的材料为透明导电薄膜材料。

根据本公开的一实施方式，所述衬底基板为硬质衬底基板或者柔性衬底基板。

根据本公开的另一个方面，提供一种太阳能电池组件，包括本公开所述的太阳能电池芯片。