[实用新型]太阳能电池芯片及太阳能电池组件有效
| 申请号： | 201821014382.3 | 申请日： | 2018-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN208781858U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 霍元杰;李静益 | 申请（专利权）人： | 华夏易能投资（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 阚梓瑄;王卫忠 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴经济开发区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光转化层 背电极层 衬底基板 前电极层 太阳能电池芯片 背电极 太阳能电池组件 导电材料 阶梯结构 对齐 前电极 并联 搭接 预设 粘附 切除 | ||
1.一种太阳能电池芯片，其特征在于，包括：
衬底基板；
背电极层，设于衬底基板上；
光转化层，设于所述背电极层远离衬底基板的一侧，并且所述光转化层的边沿到所述背电极层的边沿具有预设的距离；
前电极层，设于所述光转化层远离背电极层的一侧，并且前电极层的边沿和所述光转化层的边沿对齐。
2.如权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述光转化层包括：
缓冲层，位于所述前电极层和所述背电极层之间，并且所述缓冲层的边沿和所述前电极层的边沿对齐；
光吸收层，位于所述缓冲层和所述背电极层之间，并且所述光吸收层的边沿和所述缓冲层的边沿对齐。
3.如权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述背电极层未被所述光转化层覆盖的区域包括首尾相接的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。
4.如权利要求3所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述第一区域的和所述第三区域的宽度相同，所述第二区域和所述第四区域的宽度相同，并且第一区域的宽度小于第二宽度的距离。
5.如权利要求4所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述第一区域和第三区域的宽度为0.01mm～0.1mm。
6.如权利要求4所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述第二区域和第四区域的宽度为2.5mm～3.5mm。
7.如权利要求2所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述光吸收层的材料为CIGS。
8.如权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述前电极层的材料为透明导电薄膜材料。
9.如权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述衬底基板为硬质衬底基板或者柔性衬底基板。
10.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括权利要求1至9任一所述的太阳能电池芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
