[实用新型]一种应用于开关电源的软启动电路

说明书

本实用新型揭示了一种应用于开关电源的软启动电路，所述开关电源包括电源输出电压Vout，所述软启动电路包括相互连接的锁存控制电路(100)、充电延时电路(200)和逻辑控制电路(300)，所述逻辑控制电路(300)包括第一比较器COMP1、第二比较器COMP2、第一与非门NAND1和第二与非门NAND2，所述第一比较器COMP1输出端与第一与非门NAND2的输入端相接，所述第二比较器COMP2的输出端与第一与非门NAND1的输入端相连，所述电源输出电压Vout作为所述逻辑控制电路的输入电压。本实用新型采用简单的片上设计方式对输出进行间歇式充电的方式实现软启动功能，可以将软启动电路完全放到片内实现，提高集成度，降低设计成本。

技术领域

本实用新型涉及一种软启动电路，特别涉及一种应用于开关电源的软启动电路。

背景技术

开关电源具有效率高、体积小、重量轻等特点，近年来，随着电子产品需求的不断增长，电源管理IC的应用领域也在不断扩大，其中开关电源以其宽输入输出电压范围和杰出的能量转换效率而得到广泛应用。如图1所示是一个典型的开关电源电路，它包括了驱动管DP、整流管DN，电感L、电容C、反馈控制与驱动电路以及软启动电路。启动阶段，会产生很大的浪涌电流，输出电压会产生较大的过冲，从而损坏电路元件，因此需要软启动电路来避免上述现象的发生。

现有技术采用不同的方式来实现软启动功能，例如在系统内部产生额外的时钟信号来控制启动速度，这种方法增加了电路的复杂度；例如使用繁琐的反馈电路实现软启动功能，复杂的反馈电路对芯片寄生参数非常敏感，带来稳定性的问题，增加电路的实现风险；例如将软启动模块放到片外独立实现，但这种方法又降低了系统的集成度，增加了芯片引脚和物料成本等。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对现有技术中的上述缺陷，提供一种开关电源的软启动电路，它具有结构简单、性能可靠的特点。

为实现上述实用新型目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种应用于开关电源的软启动电路，所述开关电源包括电源输出电压Vout，所述软启动电路包括相互连接的锁存控制电路、充电延时电路和逻辑控制电路，所述锁存控制电路的输入端与逻辑控制电路的输出端相连，所述锁存控制电路的输出端与逻辑控制电路的输入端相连，所述充电延时电路的输出端与逻辑控制电路的输入端相连，所述逻辑控制电路包括第一比较器COMP1、第二比较器COMP2、第一与非门NAND1和第二与非门NAND2，所述第一比较器COMP1输出端与第二与非门NAND2的输入端相接，所述第二比较器COMP2的输出端与第一与非门NAND1的输入端相连，所述电源输出电压Vout作为所述逻辑控制电路的输入电压。

此外，本实用新型还提出如下附属技术方案：所述第二比较器COMP2输入正端、负端分别接开关电源输出电压Vout和所述充电延时电路的输出电压Vcharge，所述第一比较器COMP1的输入正端接参考电压Vref，所述第一比较器COMP1输入负端与第二比较器COMP2输入正端相连。

所述第一比较器COMP1的输出端同时作为所述锁存控制电路的输入端。

所述锁存控制电路包括第一PMOS晶体管PM1、第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2，所述第一PMOS晶体管PM1的源极与电源端VDD相连，所述第一PMOS晶体管PM1的漏极与NMOS晶体管NM1的漏极相连，所述第一NMOS晶体管NM1的源极与第二NMOS晶体管NM2的漏极相连，所述第二NMOS晶体管NM2的源极接地。

所述锁存控制电路还包括反相器INV、第一电容C1和第一电流源I1，所述第一PMOS晶体管PM1的漏极与反相器INV输入端相连，所述第一电容C1一端与第一PMOS晶体管PM1的漏极相接，另一端与第二NMOS晶体管NM2的源极相接。

所述第一比较器COMP1的输出端分别与所述第一PMOS晶体管PM1、第一NMOS晶体管NM1的栅极相连。