[实用新型]一种应用于开关电源的软启动电路

权利要求书

1.一种应用于开关电源的软启动电路，所述开关电源包括电源输出电压Vout，所述软启动电路包括相互连接的锁存控制电路(100)、充电延时电路(200)和逻辑控制电路(300)，所述锁存控制电路(100)的输入端与逻辑控制电路(300)的输出端相连，所述锁存控制电路(100)的输出端与逻辑控制电路(300)的输入端相连，所述充电延时电路(200)的输出端与逻辑控制电路(300)的输入端相连，其特征在于：所述逻辑控制电路(300)包括第一比较器COMP1、第二比较器COMP2、第一与非门NAND1和第二与非门NAND2，所述第一比较器COMP1输出端与第二与非门NAND2的输入端相接，所述第二比较器COMP2的输出端与第一与非门NAND1的输入端相连，所述电源输出电压Vout作为所述逻辑控制电路(300)的输入电压。

2.根据权利要求1所述应用于开关电源的软启动电路，其特征在于：所述第二比较器COMP2输入正端、负端分别接开关电源输出电压Vout和所述充电延时电路(200)的输出电压Vcharge，所述第一比较器COMP1的输入正端接参考电压Vref，所述第一比较器COMP1输入负端与第二比较器COMP2输入正端相连。

3.根据权利要求2所述应用于开关电源的软启动电路，其特征在于：所述第一比较器COMP1的输出端同时作为所述锁存控制电路的输入端。

4.根据权利要求1所述应用于开关电源的软启动电路，其特征在于：所述锁存控制电路(100)包括第一PMOS晶体管PM1、第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2，所述第一PMOS晶体管PM1的源极与电源端VDD相连，所述第一PMOS晶体管PM1的漏极与NMOS晶体管NM1的漏极相连，所述第一NMOS晶体管NM1的源极与第二NMOS晶体管NM2的漏极相连，所述第二NMOS晶体管NM2的源极接地。

5.根据权利要求4所述应用于开关电源的软启动电路，其特征在于：所述锁存控制电路(100)还包括反相器INV、第一电容C1和第一电流源I1，所述第一PMOS晶体管PM1的漏极与反相器INV输入端相连，所述第一电容C1一端与第一PMOS晶体管PM1的漏极相接，另一端与第二NMOS晶体管NM2的源极相接。

6.根据权利要求4所述应用于开关电源的软启动电路，其特征在于：所述第一比较器COMP1的输出端分别与所述第一PMOS晶体管PM1、第一NMOS晶体管NM1的栅极相连。

7.根据权利要求1所述应用于开关电源的软启动电路，其特征在于：所述充电延时电路(200)包括第二PMOS晶体管PM2、第三NMOS晶体管NM3，所述第二PMOS晶体管PM2的源极与电源电压VDD相连，所述第二PMOS晶体管PM2的漏极与第二比较器COMP2的输入负端相连，所述第三NMOS晶体管NM3的漏极与第二PMOS晶体管PM2的漏极相接，所述第三NMOS晶体管NM3的源极接地，所述第二PMOS晶体管PM2和第三NMOS晶体管NM3的栅极分别与反相器INV输入端相连。

8.根据权利要求7所述应用于开关电源的软启动电路，其特征在于：其还包括第二电容C2和第二电流源I2，所述第二电容C2一端与第二PMOS晶体管PM2的漏极相连，另一端接地，所述第二电容C2通过第二电流源I2充电。

9.根据权利要求1所述应用于开关电源的软启动电路，其特征在于：所述开关电源系统还包括反馈控制与驱动电路和驱动管DP，所述软启动电路通过反馈控制与驱动电路开启和关闭驱动管DP。