[实用新型]太阳能电池

说明书

本申请提供了一种太阳能电池。该太阳能电池包括依次叠置设置的衬底、背场层、基层以及发射层，背场层的掺杂类型与基层的掺杂类型相同，基层与发射层形成PN结，基层为包括多个叠置且相同的周期结构的超晶格结构层；各周期结构包括叠置设置的第一子结构层和第二子结构层，第一子结构层的掺杂类型和第二子结构层中的掺杂类型相同，第一子结构层的掺杂浓度大于第二子结构层中的掺杂浓度；或者，第一子结构层为掺杂层，第二子结构层为本征层。该太阳能电池的基层为超晶格结构层，可以减少掺杂引起的缺陷，限制电子在垂直于超晶格方向的运动，减少电子被缺陷俘获的几率，提高基层中的少子的寿命，从而使得电池的转换效率提高了2％左右。

技术领域

本申请涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种太阳能电池。

背景技术

随着节能减排运动的兴起，太阳能电池的应用越来越广泛。基于质量小、体积小、可弯曲以及制作工艺简单这些特点，太阳能电池作也被越来越广泛地应用。

目前，单结的太阳能电池主要包括衬底、基层以及发射层，其中，基层中的少子的寿命对电池效率有很大的影响，一般地，基层需要进行一定的掺杂使其成为N型或者P型结构层，但是，由于掺杂源与晶体本身原子大小的区别，在基层掺杂的过程中会引入大量的缺陷，这样会大大降低基层中少子的寿命，从而限制了太阳能电池的转换效率。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

实用新型内容

本申请的主要目的在于提供一种太阳能电池，以解决现有技术中的太阳能电池转换效率较低的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括依次叠置设置的衬底、背场层、基层以及发射层，其中，上述背场层的掺杂类型与上述基层的掺杂类型相同，上述基层与上述发射层形成PN结，上述基层为包括多个叠置且相同的周期结构的超晶格结构层；各上述周期结构包括叠置设置的第一子结构层和第二子结构层；上述第一子结构层的掺杂类型和上述第二子结构层中的掺杂类型相同，且上述第一子结构层的掺杂浓度大于上述第二子结构层中的掺杂浓度；或者，上述第一子结构层为掺杂层，上述第二子结构层为本征层。

进一步地，上述第一子结构层的掺杂浓度在1e18～1e22/cm³之间，上述第二子结构层中的掺杂浓度在0～1e18/cm³之间。

进一步地，上述基层的厚度在500～5000nm之间。

进一步地，上述第一子结构层有2～200个，上述第一子结构层和上述第二子结构层的个数相同。

进一步地，上述第一子结构层的厚度和上述第二子结构层的厚度之和在2.5～250nm之间。

进一步地，上述太阳能电池为III/V太阳能电池，上述第一子结构层的材料和上述第二子结构层的材料相同且选自GaAs、InP和GaN中的一种。

进一步地，上述背场层的厚度在30～200nm之间；上述背场层的材料包括Al_XGa_1-XAs和/或(Al_YGa_1-Y)_ZIn_1-ZP，其中，0≤X≤0.5，0≤Y≤0.5，0.4≤Z≤0.6。

进一步地，上述太阳能电池还包括：窗口层，设置在上述发射层的远离上述基层的表面上，上述窗口层的掺杂类型与上述发射层的掺杂类型相同；接触层，设置在上述窗口层的远离上述发射层的表面上，上述接触层的掺杂类型与上述发射层的掺杂类型相同。