[实用新型]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括依次叠置设置的衬底(10)、背场层(20)、基层(30)以及发射层(40)，其中，所述背场层(20)的掺杂类型与所述基层(30)的掺杂类型相同，所述基层(30)与所述发射层(40)形成PN结，所述基层(30)为包括多个叠置且相同的周期结构的超晶格结构层；各所述周期结构包括叠置设置的第一子结构层(31)和第二子结构层(32)，所述第一子结构层(31)的掺杂类型和所述第二子结构层(32)中的掺杂类型相同，且所述第一子结构层(31)的掺杂浓度大于所述第二子结构层(32)中的掺杂浓度；或者，所述第一子结构层(31)为掺杂层，所述第二子结构层(32)为本征层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子结构层(31)的掺杂浓度在1e18～1e22/cm³之间，所述第二子结构层(32)中的掺杂浓度在0～1e18/cm³之间。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基层(30)的厚度在500～5000nm之间。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子结构层(31)有2～200个，所述第一子结构层(31)和所述第二子结构层(32)的个数相同。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子结构层(31)的厚度和所述第二子结构层(32)的厚度之和在2.5～250nm之间。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为III/V太阳能电池，所述第一子结构层(31)的材料和所述第二子结构层(32)的材料相同且选自GaAs、InP和GaN中的一种。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述背场层(20)的厚度在30～200nm之间；所述背场层(20)的材料包括Al_XGa_1-XAs和/或(Al_YGa_1-Y)_ZIn_1-ZP，其中，0≤X≤0.5，0≤Y≤0.5，0.4≤Z≤0.6。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括：

窗口层(50)，设置在所述发射层(40)的远离所述基层(30)的表面上，所述窗口层(50)的掺杂类型与所述发射层(40)的掺杂类型相同；以及

接触层(60)，设置在所述窗口层(50)的远离所述发射层(40)的表面上，所述接触层(60)的掺杂类型与所述发射层(40)的掺杂类型相同。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述窗口层(50)的材料包括Al_MGa_1-MAs和/或(Al_NGa_1-N)_QIn_1-QP，其中，0≤M≤0.5，0≤N≤0.5，0.4≤Q≤0.6；所述窗口层(50)的厚度在30～200nm之间；所述接触层(60)的掺杂浓度在1e18～1e22/cm³之间；所述接触层(60)的厚度在30～200nm之间。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射层(40)的掺杂浓度在1e16～1e22/cm³之间；所述发射层(40)的厚度在100-1000nm之间。