[实用新型]一种发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管,包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；功能层，至少形成在第二半导体层上，功能层具有平台和一系列开口；第一电极，与第一半导体层形成电性连接；第二电极至少部分形成于所述功能层之上，与第二半导体层形成电性连接；第一电极和/或第二电极具有焊盘部和扩展条，其中第一电极和/或第二电极的扩展条从功能层延伸到开口内，开口包括侧壁、与侧壁相接的底部，其特征在于，至少部分位于侧壁的扩展条宽度大于在平台上的扩展条宽度。

2.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，功能层为绝缘保护层、透明导电电流扩展层、绝缘电流扩展层或者以上任意组合。

3.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，开口至少贯穿至第二半导体层。

4.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，开口是第二半导体层表面或功能层上的图形结构。

5.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，功能层为绝缘保护层，开口作为导电通道，贯穿至第一半导体层，第一电极的扩展条通过导电通道与第一半导体层电连接，绝缘保护层至少部分设置在开口侧壁与第一电极的扩展条之间。

6.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，开口的底部在第二半导体层内，功能层为透明导电电流扩展层。

7.根据权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于，扩展条覆盖开口内两方向的侧壁，至少一个方向的扩展条为加宽结构。

8.根据权利要求1到6中任意一项所述的一种发光二极管，其特征在于，至少部分位于侧壁的扩展条宽度为平台上的扩展条宽度的大于等于1.05到小于1.1倍、大于等于1.1倍到小于等于1.3倍或者为大于1.3到小于等于2倍。

9.根据权利要求1到6中任意一项所述的一种发光二极管，其特征在于，平台上的扩展条宽度为大于等于1μm且小于3μm、大于等于3μm且小于等于5μm或者为大于5μm且小于等于12μm。

10.根据权利要求1到6中任意一项所述的一种发光二极管，其特征在于，至少部分位于侧壁的扩展条宽度为大于等于1.05μm且小于3μm、大于等于3μm且小于等于5μm或者为大于5μm且小于等于24μm。

11.根据权利要求1到6中任意一项所述的一种发光二极管，其特征在于，平台上的扩展条的厚度为大于等于1.5μm且小于2μm、大于等于2μm且小于等于3μm或者为大于3μm且小于等于4.5μm。

12.根据权利要求1到6中任意一项所述的一种发光二极管，其特征在于，开口的孔径为大于等于15μm且小于18μm、大于等于18μm且小于等于22μm或者为大于22μm且小于等于40μm。

13.根据权利要求1到6中任意一项所述的一种发光二极管，其特征在于，开口的深度为大于等于0.8且小于等于1.6μm。

14.根据权利要求1到6中任意一项所述的一种发光二极管，其特征在于，至少部分位于侧壁的扩展条厚度小于在平台上的扩展条厚度。

15.根据权利要求1到6中任意一项所述的一种发光二极管，其特征在于，发光二极管为正装结构。

16.根据权利要求1到6中任意一项所述的一种发光二极管，其特征在于，第一半导体层为N型半导体层，第二半导体层为P型半导体层，第一电极为N型电极，第二电极为P型电极。