[实用新型]一种发光二极管

说明书

本实用新型公开了一种发光二极管,该发光二极管包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；绝缘保护层，形成于所述发光外延层，至少在第二半导体层上设有一系列开口作为导电通道；第一电极，包括形成于所述绝缘保护层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，与所述第二半导体层形成电性连接；所述第一电极具有焊盘部和扩展条，其中所述扩展条从绝缘保护层延伸到第二半导体层的开口内，开口包括侧壁和底部，至少部分侧壁的扩展条宽度大于位于绝缘保护层上的扩展条宽度，解决了开口侧壁扩展条过薄导致的老化烧伤问题，提高了产品的可靠度。

技术领域

本实用新型涉及半导体元件，尤其是涉及一种发光二极管。

背景技术

由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器之指示灯或光源。

早期的氮化镓LED芯片制作工艺通常由台面蚀刻(MESA)、制作透明导电层（例如ITO）、制作电极和制作保护层四道工艺组成，其形成的发光二极管芯片如图1所示，其一般包括衬底700、第一半导体层100（N型层）、发光层300、第二半导体层200（P型层）、透明导电层500、第二电极210（P电极） (第二焊盘211和第二扩展条212)、第一电极110（N电极）和绝缘保护层400。在氮化镓LED中，p-GaN由于其载流子迁移率较低，通常会在PAD底部造成一定的电流拥堵。因此，现在通常会在P型电极的底部增加电流阻挡层150，用于抑制电流的过注入，增加透明导电层的电流扩散，如图2所示。该芯片制作工艺通常至少包括台面蚀刻(MESA)、制作透明的绝缘电流扩展层600、制作透明导电电流扩展层500（例如ITO）、制作电极和制作绝缘保护层400五道工艺。

实用新型内容

本实用新型提供了一种发光二极管,包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；功能层，至少形成在第二半导体层上，功能层具有平台和一系列开口；第一电极，与第一半导体层形成电性连接；第二电极至少部分形成于所述功能层之上，与第二半导体层形成电性连接；第一电极和/或第二电极具有焊盘部和扩展条，其中第一电极和/或第二电极的扩展条从功能层延伸到开口内，开口包括侧壁、与侧壁相接的底部，至少部分位于侧壁的扩展条宽度大于在平台上的扩展条宽度。

根据本实用新型，优选的，功能层为绝缘保护层、透明导电电流扩展层、绝缘电流扩展层或者以上任意组合。

在本实用新型的一些实施例中，优选的，开口至少贯穿至第二半导体层。

在本实用新型的一些实施例中，优选的，开口是第二半导体层表面或功能层上的图形结构。

在本实用新型的一些实施例中，优选的，功能层为绝缘保护层，开口作为导电通道，贯穿至第一半导体层，第一电极的扩展条通过导电通道与第一半导体层电连接，绝缘保护层至少部分设置在开口侧壁与第一电极的扩展条之间。

在本实用新型的一些实施例中，优选的，开口的底部在第二半导体层内，功能层为透明导电电流扩展层。

在本实用新型的一些实施例中，优选的，扩展条覆盖开口内两方向的侧壁，至少一个方向的扩展条为加宽结构。

根据本实用新型，优选的，至少部分位于侧壁的扩展条宽度为平台上的扩展条宽度的大于等于1.05到小于1.1倍、大于等于1.1倍到小于等于1.3倍或者为大于1.3到小于等于2倍。

根据本实用新型，优选的，平台上的扩展条宽度为大于等于1μm且小于3μm、大于等于3μm且小于等于5μm或者为大于5μm且小于等于12μm。

根据本实用新型，优选的，至少部分位于侧壁的扩展条宽度为大于等于1.05μm且小于3μm、大于等于3μm且小于等于5μm或者为大于5μm且小于等于24μm。