[实用新型]半导体存储器的电阻值量测电路装置

说明书

本实用新型提供一种半导体存储器的电阻值量测电路装置，包括连接于第一电压接口与第一读取接口之间的第一被校准单元，第一被校准单元与第一电压接口之间形成第一连接点；连接于第二电压接口与第一读取接口之间的第一保护单元；以及连接于第一连接点和第二读取接口之间的第一量测开关晶体管；其中，第一电压接口和第二电压接口用于提供电压差，以使电流经过第一被校准单元和第一保护单元；在第一量测开关晶体管处于导通状态下，通过量测第一读取接口和第二读取接口的电压以及第一被校准单元的电流，以获得第一被校准单元的电阻值，从而可以避免接触电阻的影响，精确量测半导体存储器的数据接口的内部电阻器的电阻值。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路技术领域，尤其涉及一种半导体存储器的电阻值量测电路装置。

背景技术

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，如动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)。DRAM的读取口设计上会经由一个电阻器来控制读取口电位高或低及其所需消耗的电流量，因此电阻器的电阻值需要在一个固定的规格内，但因制造的过程中其会造成制造出来的电阻器的电阻值为不均一，故需要借由测试机的量测来为其校正。

如图1所示为现有技术的DRAM的读取口的电阻值的量测电路100，包括第一被校准单元130和第二被校准单元150，以及三个封装于DRAM外部的接口：第一电压接口111、第二电压接口112和读取口121。

当量测第一被校准单元130的电阻值时，施加工作电压于第一电压接口 111，第一开关晶体管T1′导通，第二开关晶体管T2′关断，r₁₃₀＝(V₁₁₁-V₁₂₁)/I₁₃₀，其中，r₁₃₀是第一被校准单元130、接触电阻R5′和R7的电阻值总和，V₁₁₁是第一电压接口111的电压值，即工作电压，V₁₂₁是读取口121的电压值，I₁₃₀是经过第一被校准单元130的电流。也就是说，来自测试机台的介面卡的接触电阻 R5′和R7将影响量测结果。同理，在量测第二被校准单元150的电阻值时，接触电阻R7和R6′将影响量测结果。

因此，现有技术中，因测试机台的介面卡与半导体存储器的接口的接触电阻将影响读取口的内部电阻值的量测结果，进而影响电阻值校准结果。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种半导体存储器的电阻值量测电路装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

实用新型实施例提供一种半导体存储器的电阻值量测电路装置，包括：

第一被校准单元，连接于第一电压接口与第一读取接口之间，其中，所述第一被校准单元与所述第一电压接口之间形成第一连接点；

第一保护单元，连接于第二电压接口与所述第一读取接口之间；以及

第一量测开关晶体管，连接于所述第一连接点和第二读取接口之间；

其中，所述第一电压接口和所述第二电压接口用于提供电压差，以使电流经过所述第一被校准单元和所述第一保护单元；在所述第一量测开关晶体管处于导通状态下，通过量测所述第一读取接口和所述第二读取接口的电压以及所述第一被校准单元的电流，以获得所述第一被校准单元的电阻值。

优选地，所述第一被校准单元包括：

第一校准开关晶体管，所述第一校准开关晶体管的源极连接于所述第一连接点；以及

第一被校准电阻，连接于所述第一校准开关晶体管的漏极和所述第一读取接口之间；

其中，所述第一校准开关晶体管导通，使电流经过所述第一被校准电阻。

优选地，所述第一保护单元包括：