[实用新型]半导体存储器的电阻值量测电路装置有效
| 申请号： | 201820946073.3 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN208270713U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R27/02;G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压接口 读取接口 校准单元 电阻 半导体存储器 量测 开关晶体管 保护单元 量测电路 连接点 本实用新型 内部电阻器 导通状态 接触电阻 数据接口 电压差 | ||
1.一种半导体存储器的电阻值量测电路装置，其特征在于，包括：
第一被校准单元，连接于第一电压接口与第一读取接口之间，其中，所述第一被校准单元与所述第一电压接口之间形成第一连接点；
第一保护单元，连接于第二电压接口与所述第一读取接口之间；以及
第一量测开关晶体管，连接于所述第一连接点和第二读取接口之间；
其中，所述第一电压接口和所述第二电压接口用于提供电压差，以使电流经过所述第一被校准单元和所述第一保护单元；在所述第一量测开关晶体管处于导通状态下，通过量测所述第一读取接口和所述第二读取接口的电压以及所述第一被校准单元的电流，以获得所述第一被校准单元的电阻值。
2.根据权利要求1所述的电阻值量测电路装置，其特征在于，所述第一被校准单元包括：
第一校准开关晶体管，所述第一校准开关晶体管的源极连接于所述第一连接点；以及
第一被校准电阻，连接于所述第一校准开关晶体管的漏极和所述第一读取接口之间；
其中，所述第一校准开关晶体管导通，使电流经过所述第一被校准电阻。
3.根据权利要求1所述的电阻值量测电路装置，其特征在于，所述第一保护单元包括：
第一保护开关晶体管，所述第一保护开关晶体管的漏极连接于所述第一读取接口；以及
第一保护电阻，连接于所述第一保护开关晶体管的源极与所述第二电压接口之间；
其中，所述第一保护开关晶体管导通，使电流经过所述第一保护电阻。
4.根据权利要求1至3任一项所述的电阻值量测电路装置，其特征在于，还包括：
第二被校准单元，连接于所述第二电压接口和所述第一读取接口之间，其中，所述第二被校准单元与所述第二电压接口之间形成第二连接点；以及
第二保护单元，连接于所述第一电压接口与所述第一读取接口之间；
第二量测开关晶体管，连接于所述第二连接点和第三读取接口之间；
其中，所述电压差使电流经过所述第二保护单元和所述第二被校准单元；在所述第二量测开关晶体管处于导通状态下，断开经过所述第一被校准单元和第一保护单元的电流，通过量测所述第一读取接口和所述第三读取接口的电压以及所述第二被校准单元的电流，以获得所述第二被校准单元的电阻值。
5.根据权利要求4所述的电阻值量测电路装置，其特征在于，所述第二被校准单元包括：
第二校准开关晶体管，所述第二校准开关晶体管的源极连接于所述第二连接点；以及
第二被校准电阻，连接于所述第二校准开关晶体管的漏极和所述第一读取接口之间；
其中，所述第二校准开关晶体管导通，使电流经过所述第二被校准电阻。
6.根据权利要求4所述的电阻值量测电路装置，其特征在于，所述第二保护单元包括：
第二保护开关晶体管，所述第二保护开关晶体管的漏极连接于所述第一读取接口；以及
第二保护电阻，连接于所述第二保护开关晶体管的源极与所述第一电压接口之间；
其中，所述第二保护开关晶体管导通，使电流经过所述第二保护电阻。
7.根据权利要求1至3任一项所述的电阻值量测电路装置，其特征在于，所述第一电压接口和所述第二电压接口、所述第一读取接口以及所述第二读取接口均外露于所述半导体存储器的封装外部。
8.根据权利要求4所述的电阻值量测电路装置，其特征在于，所述第一电压接口、所述第二电压接口、所述第一读取接口、所述第二读取接口以及所述第三读取接口均外露于所述半导体存储器的封装外部。
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