[实用新型]FOUP装置有效
| 申请号: | 201820940292.0 | 申请日: | 2018-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN208753281U | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
| 发明(设计)人: | 张党柱;赵鹏;郭甜;黄志凯;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆 底板 晶圆槽 传感器 装载 本实用新型 控制器 传感器检测 表面设置 装载状态 检测 放入 损伤 指向 传输 支撑 发现 | ||
本实用新型提供的FOUP装置,包括顶板以及与所述顶板相对的底板;所述顶板与所述底板之间设置有若干晶圆槽,所述晶圆槽用于支撑晶圆;多个所述晶圆沿自所述顶板指向所述底板的方向依次放入所述晶圆槽;所述底板朝向所述顶板的表面设置有至少一个传感器,所述传感器用于检测置于所述晶圆槽的晶圆与所述底板之间的距离并传输至控制器;所述控制器,连接所述传感器,用于判断先后两次装载晶圆后所述传感器检测到的距离是否发生改变,若否,则确认所述晶圆装载异常。本实用新型实现了对FOUP装置内晶圆装载状态的检测,及时发现晶圆装载异常,避免了晶圆损伤。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种FOUP装置。
背景技术
将IC形成在晶圆上,这必须经历许多的工艺步骤,每个工艺步骤都需要在特定的晶圆处理腔室中进行,在很多情况下,这些晶圆处理腔室都需要保持在真空或是近乎真空的环境下,才能对晶圆进行正常的工艺处理。因此,在晶圆的处理工序中,将晶圆从一个处理腔室转移至另一个处理腔室的过程中,需要大气传送模组(Atmosphere TransferModule,ATM)、气锁(Airlock)、真空传送模组(Vacuum Transfer Module,VTM)、前端开启式同一规格运输腔或者前端开启式通用腔(Front Opening Unified Pod,FOUP)等的协同作用实现。
在半导体制造过程中,FOUP作为晶圆临时存储、以及在各个操作机台之间传输晶圆的工具,起到了极其重要的作用。将晶圆放置于FOUP的密闭腔体内,并保持腔体内环境的稳定与洁净,可以有效避免晶圆与外界环境的直接接触,在确保晶圆处理工艺稳定进行的同时,减少环境因素对晶圆的影响。
但是,在目前的生产过程中,由于机台状态不稳定等因素,当晶圆传送至 FOUP内时,可能在FOUP内发生叠片、斜插等状况,如果不对这些状况进行及时处理,极易造成晶圆的刮伤,影响最终晶圆产品的质量,甚至导致晶圆的报废。
为了解决这一问题,现有技术中是通过在机械手臂上安装传感器,在FOUP 运送晶圆至机台后,按照从上到下的方向对FOUP内的晶圆状态进行检测。但是,由于机械手臂是在FOUP运送晶圆到目标机台后才进行晶圆状态检测,无法的晶圆装载至FOUP的过程中及时发现晶圆状态缺陷,极易导致晶圆在运送过程中的滑落,引起晶圆碎片的发生,严重时会对FOUP中其他晶圆造成损伤,后果极其严重。
因此,如何对FOUP内晶圆状态进行检测,及时获取晶圆状态,避免晶圆损伤,是目前亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种FOUP装置,用以解决现有技术不能在装载晶圆的过程中实时对FOUP内晶圆状态进行检测的问题,以避免晶圆损伤,确保最终晶圆产品的质量。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种FOUP装置,包括顶板以及与所述顶板相对的底板;所述顶板与所述底板之间设置有若干晶圆槽,所述晶圆槽用于支撑晶圆;多个所述晶圆沿自所述顶板指向所述底板的方向依次放入所述晶圆槽;
所述底板朝向所述顶板的表面设置有至少一个传感器,所述传感器用于检测置于所述晶圆槽的晶圆与所述底板之间的距离并传输至控制器;
所述控制器,连接所述传感器,用于判断先后两次装载至晶圆槽的晶圆与所述底板之间的距离是否相同,若是,则确认所述晶圆装载异常。
优选的,所述传感器为多个,且多个传感器关于所述FOUP装置的轴向对称分布。
优选的,还包括位于所述顶板与所述底板之间、且相对设置的第一侧壁与第二侧壁;若干晶圆槽包括位于所述第一侧壁朝向所述第二侧壁表面的多个第一晶圆槽、以及位于所述第二侧壁朝向所述第一侧壁表面的多个第二晶圆槽;多个所述第一晶圆槽与多个所述第二晶圆槽一一对应设置,用于共同支撑所述晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





