[实用新型]光刻机台供水设备、涂胶显影机和光刻机

说明书

本实用新型提供了一种光刻机台供水设备、涂胶显影机和光刻机，光刻机台供水设备包括供水管路，其被配置为向显影后的晶圆表面提供去离子水，所述供水设备还包括与所述供水管路连接的溶气装置以及向所述溶气装置中通入气体的供气管路，经过所述溶气装置的去离子水与由所述供气管路通入的气体发生接触。通过在供水管路中增设简单的溶气装置，使得机台中的供水管路在向显影后的晶圆表面提供去离子水时能够溶入一定量的气体。该供水设备可以通过合理选择气体的种类，一方面提高去离子水的电离程度，降低去离子水的电阻率，以将晶圆表面电荷导出；另一方面保证气体生成的电解质的腐蚀性或酸性无法腐蚀晶圆表面或参与光刻胶成像反应，影响其成像质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备领域，更详细地说，本实用新型涉及一种用于向显影后的晶圆表面提供去离子水的光刻机台供水设备。

背景技术

目前常见的光刻工艺中，在显影结束后，通常需要采用以下步骤对晶圆进行清洗(rinse)：首先，使晶圆高速旋转，而将显影液甩出；再用去离子水喷淋高速旋转的晶圆表面，以清除残留的显影液和光刻胶碎片；最终将去离子水甩干。

在使用去离子水喷淋高速旋转的晶圆表面时，由于去离子水和晶圆均为绝缘体，接触、相对运动、摩擦系数这几个摩擦力产生的条件均具备，所以随着使用去离子水清洗显影剂的时间的延长，晶圆表面将逐渐由于摩擦而产生静电电荷积累。

本领域技术人员知道，晶圆表面的静电积累将会带来微粒吸附、尖端放电现象或者损害离子注入的均一性，致使器件短路、漏电、失效，影响最终产品的良率，是需要尽可能避免的。

目前主要通过以下方法减少或消除晶圆表面静电：

(一)在显影后加入硬烘烤和冷却步骤；加热可以消除静电电荷，但硬烘烤和冷却每片晶圆需要4-5分钟，该方法将大大降低产能。

(二)在晶圆传送的路径中加装去离子装置；去离子装置会释放出正电荷，正电荷会中和掉累积在晶圆表面的电子。然而，加装去离子装置成本过高，性价比低。

(三)改进清洗工艺；通过调节清洗工艺中的喷吐时间、转速、旋转加速度。然而该方法对于静电电荷的消除效果有限，且影响产能。

基于以上认识，本领域的技术人员需要提供一种光刻机相关组件的改进设计方案，通过简单的装置改动，以较低的成本即可减少或消除显影后清洗过程中晶圆表面的静电积累，且不影响产能。

实用新型内容

鉴于现有技术的上述问题，本实用新型提供一种光刻机相关组件的改进设计方案，通过简单的装置改动，以较低成本即可减少或消除显影后清洗过程中晶圆表面的静电积累，且不影响产能。本实用新型首先提供了一种光刻机台供水设备，增设简单的溶气装置，在去离子水中溶入气体，通过选取合适的气体类型，能够在降低去离子水的电阻率、将晶圆表面电荷导出的同时，不腐蚀晶圆表面或影响显影质量。

本实用新型提供的光刻机台供水设备包括供水管路，其被配置为向显影后的晶圆表面提供去离子水，所述供水设备还包括与所述供水管路连接的溶气装置以及向所述溶气装置中通入气体的供气管路，经过所述溶气装置的去离子水与由所述供气管路通入的气体直接接触。

通过在供水管路中增设简单的溶气装置，使得机台中的供水管路在向显影后的晶圆表面提供去离子水时能够溶入一定量的气体。该供水设备可以通过合理选择气体的种类，一方面提高去离子水的电离程度，降低去离子水的电阻率，以将晶圆表面电荷导出；另一方面保证气体生成的电解质的腐蚀性或酸性无法腐蚀晶圆表面或参与光刻胶成像反应，不会影响其成像质量。