[实用新型]导电互连结构以及三维存储器有效
| 申请号： | 201820912341.X | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN208608192U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连层 导电互连 导电柱 三维存储器 间隔层 本实用新型 导电柱间隔 互连导线 电容 对准 | ||
1.一种导电互连结构，其特征在于包括：
第一互连层，所述第一互连层包括多个第一导电柱；
第二互连层，位于所述第一互连层上，所述第二互连层包括间隔层和多个第二导电柱，所述间隔层与所述第一互连层在垂直方向上相互间隔以形成空隙，所述多个第二导电柱间隔地设置于所述空隙中，各第二导电柱与各第一导电柱对准且相互连接。
2.如权利要求1所述的导电互连结构，其特征在于，还包括阻挡层，位于所述第一互连层的表面，且与所述间隔层在垂直方向上相互间隔，所述阻挡层的上表面高度不低于所述第一导电柱的顶面。
3.如权利要求1所述的导电互连结构，其特征在于，所述多个第二导电柱中的每个第二导电柱侧面具有包覆层以防止所述第二导电柱所含金属扩散。
4.如权利要求3所述的导电互连结构，其特征在于，所述包覆层与所述间隔层的材料相同。
5.如权利要求3所述的导电互连结构，其特征在于，所述多个第二导电柱中的每个第二导电柱具有表面层和位于所述表面层内的中心层。
6.如权利要求5所述的导电互连结构，其特征在于，所述表面层的材料是铊或氮化铊，所述中心层的材料是铜。
7.如权利要求1所述的导电互连结构，其特征在于，所述多个第二导电柱中的每个第二导电柱的宽度在垂直方向上是均匀的。
8.如权利要求1所述的导电互连结构，其特征在于，所述多个第一导电柱和所述多个第二导电柱的材料是金属。
9.如权利要求1所述的导电互连结构，其特征在于，所述间隔层为绝缘层。
10.如权利要求2所述的导电互连结构，其特征在于，所述阻挡层为绝缘层。
11.一种三维存储器，其特征在于包括如权利要求1-10任一项所述的导电互连结构。
12.如权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，所述多个第一导电柱和所述多个第二导电柱组成所述三维存储器的位线。
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