[实用新型]半导体电容装置

权利要求书

1.一种半导体电容装置，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有多个电容触点；

双面电容器，包括：连接于所述电容触点的第一导电层，覆盖于所述第一导电层的内表面及外表面的电容介质层，以及覆盖于所述电容介质层外表面的第二导电层；

第一支撑层，连接于所述第一导电层的下部侧壁，位于所述基底之上并与所述基底具有第一间距，所述第一支撑层具有第一开口；

第二支撑层，连接于所述第一导电层的中部侧壁，位于所述第一支撑层之上并与所述第一支撑层具有第二间距，所述第二支撑层具有第二开口；以及

第三支撑层，连接于所述第一导电层的顶部侧壁，位于所述第二支撑层之上并与所述第二支撑层具有第三间距，所述第三支撑层具有第三开口，所述第三支撑层的厚度大于所述第一支撑层的厚度，且所述第三支撑层的厚度大于所述第二支撑层的厚度，以稳定支撑所述双面电容器；

其中，所述第一导电层具有凸出于所述第三支撑层的凸出部，且所述凸出部的顶缘被所述电容介质层及所述第二导电层包覆，以使所述双面电容器的电极高度大于由所述第一支撑层、所述第二支撑层和所述第三支撑层所构成的支撑高度。

2.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：所述第一导电层的所述凸出部的高度范围介于1纳米～5纳米之间。

3.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：所述第一支撑层的厚度范围介于10纳米～100纳米之间，所述第二支撑层的厚度范围介于10纳米～100纳米之间，所述第三支撑层的厚度范围介于50纳米～500纳米之间。

4.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：所述基底表面还覆盖有刻蚀停止层，所述刻蚀停止层的厚度范围介于10纳米～60纳米之间，所述刻蚀停止层的材质包括氮化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：所述第一间距的范围350纳米～1200纳米之间，所述第二间距的范围介于250纳米～1250纳米之间，所述第三间距的范围介于200纳米～800纳米之间。

6.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：所述第一支撑层、所述第二支撑层及所述第三支撑层的材质包含氮化硅。

7.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：所述第一导电层的材质包括金属氮化物及金属硅化物中的一种；所述电容介质层的材质包括氧化锆、氧化铪、氧化钛锆、氧化钌、氧化锑、氧化铝所组成群组中的一种；所述第二导电层的材质包括金属氮化物及金属硅化物中的一种。

8.根据权利要求1所述的半导体电容装置，其特征在于：所述双面电容器上还覆盖有保护介质层，以提供所述双面电容器的稳定支撑。