[实用新型]液位传感器保护罩有效

专利信息
申请号: 201820860629.7 申请日: 2018-06-04
公开(公告)号: CN208270006U 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 袁林涛;高英哲;叶日铨;刘家桦 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: G01F23/00 分类号: G01F23/00
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;陈丽丽
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 液位传感器 保护罩 壳体 腔体 本实用新型 开口 半导体制造技术 酸性刻蚀液 传输管道 吹扫气体 第一端部 壳体围绕 使用寿命 酸性气体 位传感器 检测头 刻蚀液 吹扫 挥发 排出 种液 腐蚀 容纳 体内 贯穿
【说明书】:

实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种液位传感器保护罩。所述液位传感器保护罩,包括壳体;所述壳体围绕而成的腔体用于容纳液位传感器;所述腔体的第一端部为第一开口,所述液位传感器的检测头经所述第一开口与刻蚀液传输管道接触;所述壳体上具有分别贯穿所述壳体的第一孔和第二孔,吹扫气体经所述第一孔进入所述腔体,将所述腔体内的酸性气体吹扫至所述第二孔排出。本实用新型避免了由于酸性刻蚀液的挥发对所述液位传感器的腐蚀,延长了所述液位传感器的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种液位传感器保护罩。

背景技术

目前,半导体集成电路(IC)产业已经经历了指数式增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了数代IC,其中,每代IC都比前一代IC具有更小和更复杂的电路。在IC发展的过程中,功能密度(即每一芯片面积上互连器件的数量)已普遍增加,而几何尺寸(即使用制造工艺可以产生的最小部件)却已减小。除了IC部件变得更小和更复杂之外,在其上制造IC的晶圆变得越来越大,这就对晶圆的质量要求越来越高。

半导体器件的制造需要经历多个步骤,其中,刻蚀是在晶圆表面形成器件结构的关键步骤。湿法刻蚀,是半导体刻蚀过程中常用的一种刻蚀方式。湿法刻蚀过程中,一般都需要使用酸性的刻蚀药液。具体来说,刻蚀药液装于中型罐体(Medium Tank)内,而中型罐体置于CDS(Chemical Dispense Systems,化学药液供给系统)内。为了确保半导体刻蚀过程持续、稳定的进行,需要对中型罐体内的药液液位进行实时监控,避免药液液位过低,影响刻蚀进程。目前,一般是通过电容式接近传感器来检测中型罐体内刻蚀药液的液位。

但是,液位传感器为了准确的监测中型罐体内刻蚀药液的液位,一般也是将其置于CDS内。然而,刻蚀药液具有一定的挥发性,这就导致CDS内部呈酸性环境。液位传感器长期暴露于这种酸性环境下,会对传感器造成腐蚀,影响传感器检测的准确度,缩短传感器的使用寿命。

因此,如何避免液位传感器在检测刻蚀药液液位时被酸性气体腐蚀,延长传感器的使用寿命,是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种液位传感器保护罩,用以解决现有技术中挥发出的酸性刻蚀药液易对液位传感器造成腐蚀的问题,延长液位传感器的使用寿命。

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种液位传感器保护罩,包括壳体;所述壳体围绕而成的腔体用于容纳液位传感器;

所述腔体的第一端部为第一开口,所述液位传感器的检测头经所述第一开口与刻蚀液传输管道接触;

所述壳体上具有分别贯穿所述壳体的第一孔和第二孔,吹扫气体经所述第一孔进入所述腔体,将所述腔体内的酸性气体吹扫至所述第二孔排出。

优选的,所述第一孔与所述第二孔位于所述第一开口的相对两端,且所述第一孔与所述第二孔关于所述腔体的轴向对称分布。

优选的,还包括连接部;所述连接部,连接于所述腔体的第一端部,用于与所述刻蚀液传输管道连接。

优选的,所述连接部呈圆弧形,且圆弧的内径与所述刻蚀液传输管道的外径相等,用于与所述刻蚀液传输管道卡合固定。

优选的,所述连接部沿垂直于所述腔体的轴向方向有与所述第一开口对应的第二开口,所述检测头经所述第二开口与所述刻蚀液传输管道接触。

优选的,所述腔体的第二端部为第三开口,所述第一端部与所述第二端部沿所述腔体的轴向方向分布于所述腔体的相对两端;所述液位传感器中与所述检测头相对的一端经所述第三开口延伸出所述腔体。

优选的,所述第三开口的直径与所述液位传感器圆柱形外壳的外径相等,且所述第一开口的直径大于所述第三开口的直径。

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