[实用新型]基板移送装置有效
申请号: | 201820856568.7 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN208767258U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 李载鸿 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/687 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健;张国香 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板移送装置 基板 移送单元 本实用新型 基板处理 基板污染 颗粒附着 支撑基板 盖子 腔室 遮盖 引入 | ||
本实用新型涉及一种基板移送装置,更为详细地,其目的在于提供一种基板移送装置,其可以防止在移送基板的过程中因颗粒附着于移送单元或基板而导致基板污染的问题。用于实现所述目的的本实用新型的基板移送装置包括:移送单元,其用于支撑基板并向基板处理用腔室引入基板或将基板引出;盖子,其对所述移送单元的上部进行遮盖。
技术领域
本实用新型涉及一种基板移送装置,更为详细地,涉及一种基板移送装置,其可以防止在移送基板的过程中因颗粒附着于移送单元或基板而导致基板污染的问题。
背景技术
最近,随着信息通信领域的急速发展和如计算机一样的信息媒体的大众化,半导体装置也在飞跃地发展。此外,在其功能方面,根据半导体装置的元件高集成化趋势,为了减小形成于基板的分立器件的大小,同时,另一方面为了使得元件性能最大化,正在研究开发多种方法。
通常,通过反复进行如下多个基板处理而制造半导体元件:光刻(lithography)、沉积(Deposition)及蚀刻(etching)、涂覆(Coating)光刻胶(Photoresist)、显影(Develop)、清洗及干燥工艺等。
利用与各自的目的相适合的工艺流体来实现各个工艺,由于各个工艺要求适合的工艺环境,因此,通常将基板收容于形成有与各个工艺相应的环境的腔室内部来实现。
经过各个工艺,金属杂质、有机物等颗粒残存于基板上,所述污染物质会引起基板的工艺不良,并对产品的收率及可靠性造成坏影响。
由此,为了去除颗粒,每当各个工艺完成时反复进行的清洗及干燥工艺变得非常重要,并且为了防止外部颗粒流入,在密封的腔室执行各个工艺。
基板处理工艺大致由两种方式构成:同时处理多个基板的多晶片式(批次式)方式和一张张地单独处理基板的单晶片式方式。
多晶片式的情况,在可以同时处理多个晶元而获得优秀的生产量方面广为利用,单晶片式的情况,在一张张地单独处理晶元时可以实现非常精密的工艺方面广为利用。
为了向如上所述的工艺腔室引入基板而使用基板移送装置。
参照图1,根据现有技术的基板移送装置20包括:机械手主体23,其包括使得动力产生的驱动部(未示出);至少一个移送单元21、21-1、21-2,其水平地支撑基板W;至少一个机械手臂22、22-1、22-2,其一侧与所述机械手主体23紧固连接,在另一侧末端分别设置有所述移送单元21、21-1、21-2。
所述驱动部可以向所述机械手主体23提供旋转动力,也可以提供使得所述机械手主体23向上下左右移动的动力。
所述机械手臂22、22-1、22-2形成为包括至少一个关节,通过折叠并展开所述至少一个关节而进行收缩及伸长,并以与所述机械手主体23之间的紧固连接部为旋转轴进行旋转。
所述移送单元21、21-1、21-2通过所述机械手主体23和所述机械手臂22、22-1、22-2的驱动进行移送,并被引入至工艺腔室(未示出)。
此时,在移送基板的过程中,颗粒可能附着于所述移送单元21、21-1、21-2或基板W,附着有颗粒的所述移送单元21、21-1、21-2或基板W被引入至所述工艺腔室,从而导致工艺不良。
作为针对如上所述的基板移送装置的先行技术的一个例子,有韩国登记专利10-0754245号。
实用新型内容
本实用新型是为了解决所述问题而提出的,其目的在于提供一种基板移送装置,其可以防止在通过基板移送装置移送基板的过程中因颗粒附着于移送单元或基板而可能导致的工艺不良。
用于实现所述目的的本实用新型的基板移送装置包括:移送单元,其用于支撑基板并向基板处理用腔室引入基板或将基板引出;盖子,其对所述移送单元的上部进行遮盖。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造