[实用新型]一种用于自石英舟上取出硅片的顶片机构有效
申请号: | 201820828372.7 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN208385430U | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 潘加永;戴秋喜 | 申请(专利权)人: | 苏州映真智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/687 |
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地址: | 215000 江苏省苏州市高新区建林*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顶齿 凹陷 石英舟 硅片 托齿 顶片机构 距离设置 顶片 取出 基板 本实用新型 并排设置 传统真空 固定设置 间隔排列 生产效率 吸盘机构 组件包括 竖直 舟槽 | ||
本实用新型公开了一种用于自石英舟上取出硅片的顶片机构,包括可竖直上升和下降的顶片组件,顶片组件包括多个托齿,每个托齿包括基板和固定设置在所述基板上的第一顶齿和第二顶齿,第一顶齿和第二顶齿之间限定出一个第一凹陷,相邻两个托齿的第二顶齿和第一顶齿之间限定出一个第二凹陷;并排设置的多个托齿形成多个顶齿、凹陷间隔排列的结构;顶片组件的相邻两个顶齿之间的距离设置为4.76mm,相邻两个凹陷之间的距离设置为4.76mm,相邻的顶齿和凹陷之间的距离设置为2.38mm。该用于自石英舟上取出硅片的顶片机构解决了传统真空吸盘机构无法高效吸取舟槽间距2.38mm的石英舟上的硅片的问题,提高了生产效率。
技术领域
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池领域,具体涉及一种用于自石英舟上取出硅片的顶片机构。
背景技术
在晶体硅太阳能电池的生产工艺中,扩散是核心工序之一。晶体硅太阳能电池扩散工艺的原理是在高温密闭的管式扩散炉内,通过液态磷源(或硼源)的挥发,在硅片表面沉积磷原子(或硼原子),然后向硅片体内扩散,形成 p-n 结。目前,晶体硅太阳能电池的扩散工艺过程是先将硅片放置在载具中,再送入一个扩散炉腔内进行扩散,以在硅片表面形成均匀的高质量的 p-n 结,提升电池效率。行业内通常采用石英舟作为硅片载具,硅片被插入到石英舟的舟槽内,再送入扩散炉内进行扩散。完成扩散后,采用真空吸盘机构将石英舟上的硅片吸出。
常见的石英舟舟槽间距有4.76mm和2.38mm两种,为提高产能行业内广泛采用的是舟槽间距为2.38的石英舟。而传统真空吸盘机构由于材料和加工工艺的技术限制,其上的吸盘间距均为4.76mm,未能高效吸取舟槽间距2.38mm的石英舟上的硅片,无法实现石英舟上硅片取出的自动化作业,生产效率低下。
实用新型内容
鉴于以上现有技术存在的不足,本实用新型的目的是提供一种用于自石英舟上取出硅片的顶片机构,提升舟槽间距2.38mm的石英舟上硅片的取出效率。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:提供一种用于自石英舟上取出硅片的顶片机构,所述顶片机构包括基座和穿设在所述基座上的滚珠丝杠,所述滚珠丝杠包括竖直设置的螺杆和套设在所述螺杆上的滚珠螺母,所述螺杆由伺服电机驱动转动;在所述滚珠螺母上连接有一滑块,当所述螺杆转动时,所述滑块可随所述滚珠螺母竖直上升或下降;在所述滑块上安装有支撑座,在所述支撑座上安装有顶片组件,所述顶片组件包括并排设置的多个托齿,每个托齿包括基板和固定设置在所述基板上的第一顶齿和第二顶齿,所述第一顶齿和第二顶齿之间限定出一个第一凹陷,相邻两个托齿的第二顶齿和第一顶齿之间限定出一个第二凹陷;并排设置的多个托齿形成多个顶齿、凹陷间隔排列的结构;所述顶片组件的相邻两个顶齿之间的距离设置为4.76mm,相邻两个凹陷之间的距离设置为4.76mm,相邻的顶齿和凹陷之间的距离设置为2.38mm。
作为对上述方案的改进,所述顶片机构还包括固定设置在所述基座上的导轨,所述导轨设置在所述滚珠丝杠的两侧,所述滑块可沿所述导轨上下滑动。
作为对上述方案的改进,所述伺服电机安装在所述基座上,所述伺服电机包括电机带轮;在所述螺杆的底端连接有丝杠带轮;传动皮带套设在所述电机带轮和所述丝杠带轮上,所述伺服电机通过所述传动皮带带动所述丝杠带轮转动,从而带动所述螺杆转动。
作为对上述方案的改进,在所述基板上开设有通孔,所述顶片组件上的多个托齿通过穿入所述通孔的螺栓可拆卸连接。
作为对上述方案的改进,在所述支撑座上对称安装有两组所述顶片组件。
本实用新型所提供的用于自石英舟上取出硅片的顶片机构,解决了传统真空吸盘机构无法高效吸取舟槽间距2.38mm的石英舟上的硅片的问题,使石英舟上硅片取出的自动化作业成为可能,提高了生产效率。
附图说明
图1是本实用新型一较佳实施例中用于自石英舟上取出硅片的顶片机构的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的