[实用新型]基板处理装置有效
| 申请号： | 201820824078.9 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN208478295U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 姜炳州;申寅澈 | 申请（专利权）人： | 凯斯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;张国香 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板处理装置 本实用新型 疏水性物质 基板 基板供给处理液 第二处理部 第一处理部 基板边缘部 崩溃现象 微细图案 处理液 涂覆 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板处理装置，其包括：
第二处理部，其向基板边缘部供给疏水性物质；
第一处理部，其向获得所述疏水性物质供给的基板供给处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述疏水性物质是氢氟酸、表面活性剂、有机硅化合物、硅烷偶联剂、碳氟化合物、甲硅烷基化剂、烃类非极性溶剂中的任意一个。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液是有机溶剂。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液是异丙醇(IPA)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
