[实用新型]基板处理装置

说明书

本实用新型的目的在于提供一种基板处理装置，其防止涂覆于基板上的处理液流失，从而可以防止形成于基板的微细图案的崩溃现象。根据用于实现所述目的的本实用新型的一个实施例的基板处理装置包括：第二处理部，其向基板边缘部供给疏水性物质；第一处理部，其向获得所述疏水性物质供给的基板供给处理液。

技术领域

本实用新型涉及一种基板处理装置，更为详细地，涉及一种基板处理装置，其用于防止涂覆于基板上的处理液流失以及由此导致的图案崩溃现象。

背景技术

通常，清洗分为湿式清洗和干式清洗，其中，湿式清洗广泛应用于半导体制造领域。湿式清洗作为通过在各个步骤使用适合污染物质的化学物质来连续去除污染物质的方式，大量使用酸性和碱性的溶液来去除残留于基板的污染物质。

但是，问题在于，用于所述湿式清洗的化学物质对环境造成不良影响，而且工艺复杂，从而是使得产品单位生产成本大幅上升的主要因素，不仅如此，在用于清洗如高集成电路一样的精密部分时，因界面张力导致微细结构的图案变窄并被破坏，从而无法有效去除污染物。

作为用于解决所述问题的方案，最近，正在开发一种干式清洗方法，其使用无毒且不燃性物质、价廉且环保型物质的二氧化碳作为溶剂。二氧化碳的优点在于，具有低的临界温度和临界压力，所以可容易达到超临界状态，并且界面张力接近于零(0)，在超临界状态下，因为高压缩性而容易使得密度或溶剂强度随着压力的变化而变化，并且通过减压而转换成气态，所以可以简单地从溶质中分离出溶剂。

如上所述，作为与使用超临界流体的基板处理方法相关的先行技术的一个例子，登记专利第10-1536712号中公开一种基板处理方法，在第一工艺腔室中执行依次进行化学工艺、冲洗工艺以及有机溶剂工艺的清洗工艺，通过移送机械手将完成清洗工艺的基板移送到第二工艺腔室，并执行利用超临界流体的干燥工艺。

就所述有机溶剂工艺而言，用有机溶剂置换经过冲洗工艺后残留于基板上的冲洗剂，从而在后续干燥工艺中，在超临界流体与有机溶剂间顺利进行溶解反应，进而可以提高基板的干燥性能。

但是，根据现有的基板处理方法，问题在于，在经过有机溶剂工艺将有机溶剂涂覆于基板上的状态下，在通过移送机械手将基板从第一工艺腔室移送到第二工艺腔室的途中，有机溶剂向基板的外侧流下而流失，由此，基板上有机溶剂的分布状态不均匀，形成于基板的图案崩溃，据此导致工艺不良。

实用新型内容

本实用新型是为了解决所述问题而提出的，其目的在于，提供一种基板处理装置，其防止涂覆于基板上的处理液流失，从而可以防止形成于基板的微细图案的崩溃现象。

用于实现所述目的本实用新型的基板处理装置包括：第二处理部，其向基板边缘部供给疏水性物质；第一处理部，其向获得所述疏水性物质供给的基板供给处理液。

所述疏水性物质可以使用氢氟酸、表面活性剂、有机硅化合物、硅烷偶联剂、碳氟化合物、甲硅烷基化剂、烃类非极性溶剂中的任意一个。

所述处理液是有机溶剂，并且可以是异丙醇(IPA)。

根据本实用新型的第一实施例的基板处理方法包括：第一步骤，使用疏水性物质对涂覆有蒸镀膜的基板边缘部进行蚀刻；第二步骤，将处理液涂覆于所述经蚀刻处理的基板上。

能够以将氢氟酸和表面活性剂用作所述疏水性物质的形式执行所述第一步骤。

所述第一步骤可以构成为，将所述蒸镀膜蚀刻至露出所述基板表面的高度。

所述第一步骤中，通过露出上面的所述基板和所述疏水性物质间的反应，在所述基板边缘部表面可以形成疏水化部。

所述第一步骤可以构成为，对所述基板边缘部的EBR(Edge Bead Remover，边胶清洗剂)区域进行蚀刻。