[实用新型]一种CML电平转CMOS电平的电路结构

权利要求书

1.一种电流模式逻辑CML电平转CMOS电平电路结构，其特征在于，包括：

CML电平均衡放大电路A，用于将差分电路信号进行直流工作点搬移，同时对CML信号摆幅进行一级放大；

直流去耦合放大电路B，用于去掉差分CML信号的直流工作点，同时对所述差分CML信号进行二级放大；以及，

占空比矫正电路C，用于在高速CML电平进行CMOS电平转换的过程中，避免占空比失调。

2.根据权利要求1所述的CML电平转CMOS电平电路结构，其特征在于，所述CML电平均衡放大电路A，具体电路包括：电阻R1、电阻R2、晶体管M1、晶体管M2、电流源Ki1和电流源Ki2以及电容C1；所述电阻R1和电阻R2均连接工作电压V_DD；所述晶体管M1和晶体管M2的栅极G分别与V_A和V_B相连；所述晶体管M1的漏极D与电阻R1的另一端相连，所述晶体管M2的漏极D与电阻R2的另一端相连；所述晶体管M1的源极S和晶体管M2的源极S分别连接有电流源Ki1和电流源Ki2；所述电流源Ki1和电流源Ki2的另一端分别接地；所述晶体管M1和晶体管M2的源极S之间通过电容C1相连。

3.根据权利要求2所述的CML电平转CMOS电平电路结构，其特征在于，直流去耦合放大电路B，具体电路包括：与晶体管M1的漏极D依次串联的电容C3、反相器N2；和与晶体管M2的漏极D依次串联的电容C2、反相器N1；以及所述反相器N2和反相器N1两端分别并联有电阻R4和电阻R3。

4.根据权利要求3所述的CML电平转CMOS电平电路结构，其特征在于，占空比矫正电路C，具体电路包括：与所述反相器N2的输出端相连的反相器N6；和与所述反相器N1的输出端相连的反相器N5；以及并联在反相器N5和反相器N6的输入端之前的反相器N3和反相器N4；所述并联设置的反相器N3和反相器N4为反向设置。

5.根据权利要求4所述的CML电平转CMOS电平电路结构，其特征在于，所述占空比矫正电路C的反相器N5和反相器N6的输出端分别作为CML电平转CMOS电平的电路的信号输出端。