[实用新型]一种半导体储存器结构

说明书

本实用新型提供一种半导体储存器结构，该半导体储存器结构具备多重式的字线凹槽，字线是基于字线凹槽形成在衬底中，由于字线凹槽由深度不同的第一字线凹槽与第二字线凹槽水平连通而成，因此字线为非对称埋入式，利用该埋入式字线作为MOS管的栅极，可以增加MOS管源极与漏极之间的距离，从而使得MOS管具备更长的沟道，有效防止短沟道效应。本实用新型可以在同样的字线密度下增加字线与字线之间的有效距离，从而降低字线与字线之间的耦合。本实用新型中相邻两条字线的底端偏离方向相反，可以使得晶体管之间的耦合明显降低。

技术领域

本实用新型属于集成电路制造领域，涉及一种半导体储存器结构。

背景技术

随着半导体存储器件(如动态随机存取存储器(DRAM))变得高度集成，单位单元在半导体衬底上的面积会相应地逐渐缩小，包含在金属氧化物半导体(MOS)晶体管中的沟道长度也会逐渐减小，沟道长度的减小易造成短沟道效应的产生。为了维持半导体存储器件的高度集成，需要采取措施限制短沟道效应。

埋入式字线(也可称为埋入式栅极)为增加半导体器件的集成密度提供了一种新的选择。埋入式字线是指将字线埋设在半导体衬底的内部，可以显著地减少在字线与位线之间的寄生电容，大幅地改善半导体器件的电压读出操作的可靠性。图1显示为一种有源区与字线阵列的平面布局图，图2显示为图1的A-A’向剖面图，其中，隔离结构101形成于半导体衬底102中，在半导体衬底102中界定出多个有源区103，多条字线104埋入半导体衬底102中，并穿过有源区103及隔离结构101，字线104上方形成有保护层105。由图2可见，现有的埋入式字线采用对称结构。

随着集成度的进一步增加，采用埋入式栅极字线的半导体储存器结构也开始面临短沟道效应的问题，因此，如何提供一种新的半导体储存器结构，以防止采用埋入式栅极字线的半导体储存器结构出现短沟道效应，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种半导体储存器结构，用于解决随着器件的高度集成，现有采用埋入式栅极字线结构的半导体储存器结构无法有效防止短沟道效应的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种半导体储存器结构，包括：

衬底；

字线凹槽，形成于所述衬底中，包含具有第一深度的第一字线凹槽及具有第二深度的第二字线凹槽，所述第一字线凹槽及所述第二字线凹槽水平连通，所述第一深度大于所述第二深度；

字线，由第一字线部与第二字线部连接而成，所述第一字线部形成于所述第一字线凹槽中，所述第二字线部形成于所述第二字线凹槽中，所述字线的底端偏离所述字线的中心平面，其中，所述字线的中心平面定义为穿过所述字线长度方向的顶面中心线且垂直于所述字线顶面的平面，所述字线的底端位于所述第一字线凹槽的底端。

可选的，所述第一字线部与所述第二字线部的连接处具有一内凹角。

可选的，相邻两条字线的底端偏离方向相反。

可选的，所述半导体储存器更包括形成于所述衬底中的隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中界定出多个有源区，所述字线穿过所述有源区及所述隔离结构。

可选的，至少有一个所述有源区被两条所述字线穿过。