[实用新型]一种半导体储存器结构

权利要求书

1.一种半导体储存器结构，其特征在于，包括：

衬底；

字线凹槽，形成于所述衬底中，包含具有第一深度的第一字线凹槽及具有第二深度的第二字线凹槽，所述第一字线凹槽及所述第二字线凹槽水平连通，所述第一深度大于所述第二深度；

字线，由第一字线部与第二字线部连接而成，所述第一字线部形成于所述第一字线凹槽中，所述第二字线部形成于所述第二字线凹槽中，所述字线的底端偏离所述字线的中心平面，其中，所述字线的中心平面定义为穿过所述字线长度方向的顶面中心线且垂直于所述字线顶面的平面，所述字线的底端位于所述第一字线凹槽的底端。

2.根据权利要求1所述的半导体储存器结构，其特征在于：所述第一字线部与所述第二字线部的连接处具有一内凹角。

3.根据权利要求1所述的半导体储存器结构，其特征在于：相邻两条字线的底端偏离方向相反。

4.根据权利要求1所述的半导体储存器结构，其特征在于：所述半导体储存器更包括形成于所述衬底中的隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中界定出多个有源区，所述字线穿过所述有源区及所述隔离结构。

5.根据权利要求1所述的半导体储存器结构，其特征在于：至少有一个所述有源区被两条所述字线穿过。