[实用新型]一种刻针组件及刻针机有效
| 申请号: | 201820781121.8 | 申请日: | 2018-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN208078004U | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
| 发明(设计)人: | 丁明飞 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 孟德栋 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 针本体 针组件 针头 本实用新型 使用寿命 针机 薄膜太阳能电池 材料成本 安装件 备件 磨损 储量 申请 | ||
本实用新型涉及薄膜太阳能电池技术领域,具体涉及一种刻针组件及刻针机。本实用新型提供的刻针组件,包括安装件和刻针本体,所述刻针本体的两端均设有刻针头;本申请提供的刻针组件上的刻针本体的两端均为刻针头,因此刻针本体的两端均能够使用,当一端的刻针头出现磨损时,可将刻针对调过来继续使用,并且没有增加刻针本体的材料成本,刻针本体的使用寿命增加了一倍,大大延长了刻针本体的使用寿命,减少刻针本体的备件储量,进而降低了刻针组件的使用成本。
技术领域
本实用新型涉及薄膜太阳能电池技术领域,具体涉及一种刻针组件及刻针机。
背景技术
CIGS薄膜太阳能电池:由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒) 四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶,是组成电池板的关键技术。CIGS太阳能薄膜电池构造:衬底为覆有Mo(钼)层的钠钙玻璃,一般采用直流磁控溅射法沉积Mo作为支持层。中间层为发电层CIGS薄膜,其生产采用三步共蒸法。缓冲层采用水浴法沉积CdS薄膜,最后溅射双层的ZnO薄膜层。
CIGS薄膜电池需要将膜层分割成很多小块,形成子电池,即需要采用刻针组件将Mo以上膜层进行划开,但不伤害Mo层,在实际刻划过程中,控制刻针压入膜层的压力,就可以保证刻针既接触到Mo层,又不伤害Mo层。
CIGS薄膜太阳能电池对刻线的宽度要求很严,刻线宽度超过工艺范围就必须更换刻针,刻针针尖直径要求φ50±5μm,如果在使用过程中针尖磨损,则必须更换新刻针。由于刻针的耐磨性要求非常高,所以刻针的价格昂贵。目前CIGS薄膜太阳能电池刻划设备基本以进口为主,刻针单价在800元人民币左右。单台设备刻针需求为78根,所以尽量减少刻针使用量及减少备件数量,将会很大程度上减少刻划设备的使用成本。
现有的刻针组件一般包括连接块、固定块、刻针本体和定位磁铁,其中所述刻针本体为单头刻针,非针头部分直接吸附在定位磁铁上起到压力传递及定位作用,同时刻针本体固定在连接块和固定块之间,但是现有的单头刻针使用寿命较短,增大了设备更换维护的成本。
实用新型内容
(一)本实用新型所要解决的技术问题是:现有的单头刻针磨损大、使用寿命短,会增加薄膜太阳能电池的制造成本。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种刻针组件,包括安装件和刻针本体,所述刻针本体的两端均设有刻针头,所述刻针本体通过所述安装件进行固定,且所述刻针本体一端的刻针头伸出至所述安装件的外侧以进行作业。
本实用新型的有益效果:本实用新型提供的刻针组件,包括安装件和刻针本体,所述刻针本体的两端均设有刻针头;本申请提供的刻针组件上的刻针本体的两端均为刻针头,因此刻针本体的两端均能够使用,当一端的刻针头出现磨损时,可将刻针对调过来继续使用,并且没有增加刻针本体的材料成本,刻针本体的使用寿命增加了一倍,大大延长了刻针本体的使用寿命,减少刻针本体的备件储量,进而降低了刻针组件的使用成本。
进一步地,所述安装件包括固定块和连接块,所述固定块与所述连接块固定连接且所述固定块与所述连接块之间形成有容置腔,所述刻针本体固定安装于所述容置腔内,且所述刻针本体一端的刻针头伸出至所述容置腔的外侧。
进一步地,所述连接块上设置有第一凹槽,所述固定块上设置有第二凹槽,所述第一凹槽和所述第二凹槽配合形成所述容置腔。
进一步地,所述第一凹槽包括第一子凹槽,所述第二凹槽包括第二子凹槽,所述第一子凹槽和第二子凹槽均为圆弧槽。
进一步地,所述第一凹槽还包括位于所述第一子凹槽上侧的第三子凹槽,所述第二凹槽还包括位于所述第二子凹槽上侧的第四子凹槽;
所述容置腔包括第一腔体和第二腔体,所述第一子凹槽和第二子凹槽之间形成所述第一腔体,所述第三子凹槽和第四子凹槽之间形成第二腔体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





