[实用新型]一种刻针组件及刻针机有效
| 申请号: | 201820781121.8 | 申请日: | 2018-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN208078004U | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
| 发明(设计)人: | 丁明飞 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 孟德栋 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 针本体 针组件 针头 本实用新型 使用寿命 针机 薄膜太阳能电池 材料成本 安装件 备件 磨损 储量 申请 | ||
1.一种刻针组件,其特征在于:包括安装件和刻针本体,所述刻针本体的两端均设有刻针头,所述刻针本体通过所述安装件进行固定,且所述刻针本体一端的刻针头伸出至所述安装件的外侧以进行作业。
2.根据权利要求1所述的刻针组件,其特征在于:所述安装件包括固定块和连接块,所述固定块与所述连接块固定连接且所述固定块与所述连接块之间形成有容置腔,所述刻针本体固定安装于所述容置腔内,且所述刻针本体一端的刻针头伸出至所述容置腔的外侧。
3.根据权利要求2所述的刻针组件,其特征在于:所述连接块上设置有第一凹槽,所述固定块上设置有第二凹槽,所述第一凹槽和所述第二凹槽配合形成所述容置腔。
4.根据权利要求3所述的刻针组件,其特征在于:所述第一凹槽包括第一子凹槽,所述第二凹槽包括第二子凹槽,所述第一子凹槽和第二子凹槽均为圆弧槽。
5.根据权利要求4所述的刻针组件,其特征在于:所述第一凹槽还包括位于所述第一子凹槽上侧的第三子凹槽,所述第二凹槽还包括位于所述第二子凹槽上侧的第四子凹槽;
所述容置腔包括第一腔体和第二腔体,所述第一子凹槽和第二子凹槽之间形成所述第一腔体,所述第三子凹槽和第四子凹槽之间形成所述第二腔体。
6.根据权利要求5所述的刻针组件,其特征在于:所述刻针组件还包括定位磁铁,所述定位磁铁位于所述第二腔体内并固定在所述连接块或所述固定块上,所述定位磁铁上设有过孔,所述刻针本体另一端的刻针头卡在所述过孔内。
7.根据权利要求6所述的刻针组件,其特征在于:所述过孔为圆形通孔或锥形通孔。
8.根据权利要求6所述的刻针组件,其特征在于:所述刻针组件还包括固定板,所述固定板位于所述第二腔体内并与所述连接块或所述固定块固定连接,所述定位磁铁固定在所述固定板上。
9.根据权利要求2至8任一项所述的刻针组件,其特征在于:所述固定块通过螺栓与所述连接块固定连接。
10.根据权利要求9所述的刻针组件,其特征在于:所述刻针组件还包括定位销,所述定位销依次伸入所述固定块和所述连接块上对应设置的销孔内。
11.一种刻针机,其特征在于:包括驱动机构和如权利要求1至10任一项所述的刻针组件,所述驱动机构与所述刻针组件相连,用于驱动所述刻针组件移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





