[实用新型]凸基板LED及发光装置

权利要求书

1.一种凸基板LED，其特征在于，包括正面具有凸起区域的基板，位于所述基板正面之上且与所述基板绝缘隔离的电路层以及至少一颗LED芯片，所述基板正面之上设有灯珠区域，所述灯珠区域包括至少一个所述凸起区域，所述LED芯片设置于所述灯珠区域内，所述电路层包括用于将所述基板上的灯珠区域内的LED芯片与其他灯珠和/或所述基板上其他器件的连接点连接的电路。

2.如权利要求1所述的凸基板LED，其特征在于，所述灯珠区域内的LED芯片的发光峰值波长相同。

3.如权利要求1所述的凸基板LED，其特征在于，所述灯珠区域内设置的LED芯片包括至少两种不同发光峰值波长的LED芯片。

4.如权利要求1至3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，还包括位于所述LED芯片之上的发光转换层、透明胶层或扩散胶层。

5.如权利要求4所述的凸基板LED，所述灯珠区域内的LED芯片的发光峰值波长相同，且所述LED包括发光转换层时，所述发光转换层为荧光粉胶层、荧光膜或量子点QD膜；

所述灯珠区域内设置的LED芯片包括至少两种不同发光峰值波长的至少两颗LED芯片，且所述LED包括发光转换层时，所述灯珠区域内设置的LED芯片包括两种不同发光峰值波长的芯片或三种不同发光峰值波长的芯片或多种不同发光峰值波长的芯片，所述发光转换层包括荧光粉胶层、荧光膜或QD膜。

6.如权利要求5所述的凸基板LED，其特征在于，所述灯珠区域内的LED芯片包括以下芯片中的任意一种或至少两种的组合：

发光峰值波长为440nm至500nm的蓝光LED芯片；

发光峰值波长为510nm至540nm的绿光LED芯片；

发光峰值波长为550nm至570nm的黄光LED芯片；

发光峰值波长为620nm以上的红光LED芯片；

所述发光转换层为将所述LED芯片发出的光转换成预设混色光的发光转换层。

7.如权利要求6所述的凸基板LED，其特征在于，所述预设混色光包括白光。

8.如权利要求4所述的凸基板LED，其特征在于，所述发光转换层、透明胶层或扩散胶层通过点胶、模压或喷涂设置于所述LED芯片之上。

9.如权利要求1-3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，所述LED芯片为正装LED芯片，所述凸起区域裸露于所述电路层之外；

或，

所述LED芯片为倒装LED芯片，所述电路层覆盖所述凸起区域，且所述凸起区域上的电路层包括正极引脚焊接区和负极引脚焊接区。

10.如权利要求1-3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，所述基板正面还设置有与基板自身绝缘隔离，且与所述电路层电连接的第一功能电连接区，和/或，所述基板背面设置有与基板绝缘隔离，且与所述电路层电连接的第二功能电连接区。

11.如权利要求1-3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，所述电路层上还设置有保护涂层，绝缘保护膜和金属镀层中的至少一种；

所述保护涂层包括防焊油墨涂层，所述保护膜包括绝缘反光膜，所述金属镀层为单层金属层或由至少两种金属层组成的复合层金属层。

12.如权利要求1-3任一项所述的凸基板LED，其特征在于，所述基板上包括至少两个灯珠区域，所述电路层包括与所述各灯珠区域内待放置的LED芯片的正极引脚和负极引脚分别对应的正极引脚焊接区和负极引脚焊接区，以及将所述至少两个灯珠区域进行电连接的电路。