[实用新型]电极及功率半导体模块

说明书

本实用新型属于电力电子技术领域，涉及一种电极及功率半导体模块。电极包括头部、缓冲部及底座，所述缓冲部连接在所述头部与所述底座之间，所述缓冲部包括至少一个缓冲单元，所述缓冲单元设有至少一个贯穿所述缓冲部的通孔。在头部和底座之间设置缓冲部，缓冲部设置至少一个缓冲单元，缓冲单元设置至少一个贯穿所述缓冲部的通孔，这种结构能保证电极在受到外界应力时，通过通孔的微小形变将应力均匀的分布在缓冲部上，大幅度降低电极受到的外界应力。同时，外界应力通过缓冲部的作用已经大幅度减小了，从而使电极的底座受到的外界应力更小，缓解了电极的底座的焊接面受到的外界应力，避免电极的底座的焊接面脱落失效，导致电极的使用寿命减少。

技术领域

本实用新型属于电力电子技术领域，特别是涉及一种电极及功率半导体模块。

背景技术

随着功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)模块在光伏领域中的应用，各种环境因素对功率IGBT模块的安装可靠性影响越来越大。在光伏领域中，一般将需焊接电极焊接在功率IGBT模块上，在各种恶劣环境中，传统的需焊接电极已无法满足其焊接可靠性的要求，越来越多的功率IGBT模块厂商开始采用压接的方式进行功率IGBT模块的安装。采用带有缓冲结构的电极的功率IGBT模块可以将所有电极一起压入控制电路板，保证在压入电极和拔出电极时，均匀分布电极本身受到的应力，同时使电极的底部(即焊接面)所承受的应力最小；在振动环境中，可充分释放电极受到的应力，确保功率IGBT模块的安装可靠性的同时又提高了安装效率并降低人工成本。

现有的带有缓冲结构的电极一般是将电极的底部冲压成S形来进行应力的缓冲，应力集中分布于电极下方的S形折弯处(电极在140N压力及拉力的作用下，S形折弯处受到的最大压强为2800Mpa，电极发生的形变量超过1mm)，这样的电极结构虽然缓解了电极的底部的应力，但在电极的中段，应力分布非常集中，使电极易发生变形，从而影响电极的使用寿命，所以此种电极对材料的要求很高。

上述形式的电极，易发生变形，在恶劣的振动环境中，易影响电极的寿命，给电极的使用带来不便，限制了电极的应用范围。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：针对现有的电极易发生变形从而减少电极的使用寿命的技术问题，提供一种电极及功率半导体模块。

为解决上述技术问题，一方面，本实用新型实施例提供一种电极，包括头部、缓冲部及底座，所述缓冲部连接在所述头部与所述底座之间，所述缓冲部包括至少一个缓冲单元，所述缓冲单元设有至少一个贯穿所述缓冲部的通孔，所述通孔具有闭合的壁面。

根据本实用新型实施例的电极，在头部和底座之间设置缓冲部，缓冲部设置至少一个缓冲单元，缓冲单元设置至少一个贯穿所述缓冲部的通孔，这种电极能保证电极在受到外界应力时，通过通孔的微小形变将应力均匀的分布在缓冲部上，大幅度降低电极受到的外界应力。同时，外界应力通过缓冲部的作用已经大幅度减小了，从而使电极的底座受到的外界应力更小，缓解了电极的底座的焊接面受到的外界应力，避免电极的底座的焊接面脱落失效，导致电极的使用寿命减少。此外，该电极与现有的电极相比，该电极受到的外界应力大幅度降低，即使在恶劣的环境中，也能保证电极的强度，使之不易折断及变形，增加了电极的使用寿命。

可选地，至少一个所述缓冲单元设有阵列排布的多个所述通孔。

可选地，所述缓冲单元包括第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面，所述第一侧面与第二侧面相对设置，所述第三侧面连接在所述第一侧面的一端与所述第二侧面的一端之间，所述第四侧面连接在所述第一侧面的另一端与所述第二侧面的另一端之间，所述通孔贯穿所述第一侧面及第二侧面。

可选地，所述通孔为菱形通孔。

可选地，所述第三侧面为锯齿面，所述第四侧面为锯齿面，相邻的所述缓冲单元之间形成第一齿槽。