[实用新型]高通量PECVD装置

说明书

本实用新型公开了一种高通量PECVD装置，包括：反应腔室；设置于反应腔室内的沉积台，沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区，每个所述沉积微区的温度独立可调；每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元，每个所述等离子体激发单元分别包括一反应气体导入通道。实用新型本实用新型通过一次实验可以实现几十个或上百个工艺条件的研究，大大加快试验效率，加快新材料和工艺的开发和筛选；大大提高衬底材料的利用率，减少成本；大大减少新材料和新工艺的开发时间和开发成本，加速新材料的开发进程和应用。

技术领域

本实用新型涉及等离子体化学气相沉积技术领域，特别是涉及一种高通量PECVD装置。

背景技术

目前的等离子体化学气相沉积技术(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,PECVD)一般一次只能制备一种条件的样品，再加上每次样品安装以及真空获得所需要花费的时间，使得传统PECVD技术在多种组合条件的材料工艺的开发方面非常的耗时。

为了能够实现新材料的快速制备和工艺筛选，有必要开发一种新的PECVD制备装置和方法，该装置可以在不更换样品的条件下，在一个样品上实现多种工艺条件的沉积，每种工艺条件所沉积的薄膜互不干扰，这样可以通过一次试验完成多种组合条件的工艺开发和材料筛选。

美国Intermolecular公司通过气氛阻隔的方式所开发的多通道PECVD沉积装置(美国专利US2012/0301616A1，US2015/0010705A1)虽然可以在一个样品上实现多种条件的制备，但是它的通量较少，一次只能实现4种条件的沉积。对于PECVD技术而言，气体的扩散是制约PECVD技术通量的重要因素，这在更高通量的PECVD装置中是需要特别考虑的问题。

综上所述，传统PECVD装置一次试验只能实现一种工艺条件，对于新材料和新工艺的开发非常的耗时，已有的多通道PECVD装置因为气体扩散等的原因，所实现的实验通量并不是很高，同样不能满足多组合工艺条件的快速、高效筛选。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种高通量PECVD装置，以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本实用新型实施例公开了一种高通量PECVD装置，包括：

反应腔室；

设置于反应腔室内的沉积台，沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区，每个所述沉积微区的温度独立可调；

每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元，每个所述等离子体激发单元分别包括一反应气体导入通道。

优选的，在上述的高通量PECVD装置中，所述沉积微区通过气体屏蔽罩进行分立。

优选的，在上述的高通量PECVD装置中，所述气体屏蔽罩上下位移可调。

优选的，在上述的高通量PECVD装置中，所述沉积台在水平和竖直方向位移可调；所述沉积台温度可调。

优选的，在上述的高通量PECVD装置中，每个所述沉积微区的温度通过等离子体激发单元单独加热控制，或

通过等离子体激发单元和沉积台共同加热控制。

优选的，在上述的高通量PECVD装置中，所述等离子激发单元在沉积微区表面产生射流微波等离子体。

优选的，在上述的高通量PECVD装置中，所述等离子激发单元在沉积微区表面产生ICP等离子体。

优选的，在上述的高通量PECVD装置中，所述等离子激发单元在沉积微区表面产生CCP等离子体。

优选的，在上述的高通量PECVD装置中，所述沉积微区的尺寸在3～20mm。