[实用新型]高通量PECVD装置有效
| 申请号： | 201820744630.3 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN208362461U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 项晓东;邬苏东;张欢;杨熹;盛江;叶继春 | 申请（专利权）人： | 宁波英飞迈材料科技有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/54 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 微区 等离子体激发 本实用新型 沉积台 高通量 开发 衬底材料 导入通道 反应气体 反应腔室 工艺条件 试验效率 温度独立 反应腔 新工艺 分立 可调 筛选 室内 应用 进程 研究 | ||
1.一种高通量PECVD装置，其特征在于，包括：
反应腔室；
设置于反应腔室内的沉积台，沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区，每个所述沉积微区的温度独立可调；
每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元，每个所述等离子体激发单元分别包括一反应气体导入通道。
2.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述沉积微区通过气体屏蔽罩进行分立。
3.根据权利要求2所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述气体屏蔽罩上下位移可调。
4.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述沉积台在水平和竖直方向位移可调；所述沉积台温度可调。
5.根据权利要求4所述的高通量PECVD装置，其特征在于，每个所述沉积微区的温度通过等离子体激发单元单独加热控制，或
通过等离子体激发单元和沉积台共同加热控制。
6.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述等离子体激发单元在沉积微区表面产生射流微波等离子体。
7.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述等离子体激发单元在沉积微区表面产生ICP等离子体。
8.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述等离子体激发单元在沉积微区表面产生CCP等离子体。
9.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述沉积微区的尺寸在3～20mm。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
