[实用新型]一种高选择性小型化双工器有效

专利信息
申请号: 201820741546.6 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN208352501U 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 霍新平;曹煜;范云军 申请(专利权)人: 成都泰格微波技术股份有限公司
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P1/205
代理公司: 成都巾帼知识产权代理有限公司 51260 代理人: 潘文林
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 高通滤波器 磁耦合结构 低通滤波器 双工器 滤波器 本实用新型 电耦合结构 传输零点 高选择性 相邻谐振器 磁耦合量 低频接收 调谐螺钉 高频发射 公共端口 公共腔 低端 连筋 梳状 响应
【权利要求书】:

1.一种高选择性小型化双工器,其特征在于:包括壳体(8),所述壳体(8)内部设置有高通滤波器、低通滤波器和公共腔(2),高通滤波器与低通滤波器通过公共腔(2)所在谐振器相连;所述高通滤波器和低通滤波器均包括多个谐振器,且相邻谐振器之间构成耦合结构;所述谐振器包括调谐杆和同轴挖孔,调谐杆的下端固定在壳体(8)的底部,调谐杆的上端连接所述同轴挖孔;所述壳体(8)上设置有低频接收端口(1)、公共端口(4)和高频发射端口(6),其中所述高通滤波器右侧谐振器与高频发射端口(6)相连,高通滤波器左侧谐振器与公共腔(2)所在谐振器相耦合,所述低通滤波器左侧谐振器与低频接收端口(1)相连,低通滤波器右侧谐振器与公共腔(2)所在谐振器相耦合;所述高通滤波器里的耦合结构包括电耦合结构(5)和磁耦合结构;所述谐振器都是阶梯阻抗结构。

2.根据权利要求1所述的一种高选择性小型化双工器,其特征在于:所述高通滤波器通路里包括两个电耦合结构(5),其余为磁耦合结构。

3.根据权利要求1所述的一种高选择性小型化双工器,其特征在于:所述低通滤波器的耦合结构全部为磁耦合结构。

4.根据权利要求1所述的一种高选择性小型化双工器,其特征在于:所述壳体(8)内,谐振器之间通过连筋(7)相连,以增加磁耦合量。

5.根据权利要求1所述的一种高选择性小型化双工器,其特征在于:所述双工器的结构是梳状腔结构。

6.根据权利要求1所述的一种高选择性小型化双工器,其特征在于:所述壳体(8)上安装有调谐螺钉(3),所述调谐螺钉(3)与每个谐振器上同轴挖孔的开口方向一一对应。

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